Pour contourner les sanctions américaines contre les fabricants de puces chinois, les principaux fournisseurs chinois de mémoires flash DRAM et NAND, Changxin Memory (CXMT) et Yangtze Memory Storage (YMTC), ont chacun pris des mesures audacieuses, adoptant des stratégies différentes pour accélérer leur développement dans un contexte de restrictions américaines à l'exportation.

Des sources de DigiTimes indiquent que Changxin Memory a commencé la production en série de puces DRAM de processus de 18,5 nm dans sa nouvelle usine de Hefei. En dépassant légèrement la limite américaine de 18 nanomètres, il vise à augmenter la capacité de production tout en respectant techniquement les réglementations du ministère américain du Commerce.

La première phase de l'usine de Hefei fonctionne presque à pleine capacité, avec une production mensuelle atteignant 100 000 plaquettes. La deuxième phase d'expansion à venir ajoutera 40 000 plaquettes par mois d'ici la fin de 2024, ce qui portera la capacité totale de production de DRAM de CX Memory à 10 % de l'échelle mondiale. En outre, Changxin prévoit également d'augmenter considérablement ses achats nationaux pour une nouvelle expansion de la production.

En revanche, Yangtze Memory Storage est confrontée à des restrictions complètes sur la croissance de sa capacité après avoir été ajoutée à la liste des entités américaines. Les importations d’équipements essentiels étant désormais interrompues, il s’avère difficile d’établir des chaînes d’approvisionnement locales en matériaux et en outils. Malgré les progrès en matière de recherche et de développement, notamment le flash NAND dépassant 300 couches, Yangtze Memory a lancé un nouveau produit à 120 couches, intentionnellement inférieur à la limite de 128 couches aux États-Unis. Cependant, même ces puces qui répondent aux normes doivent attendre l’approbation des États-Unis avant d’être produites à plus grande échelle.

Pour l’avenir, alors que Changxin a tracé une voie viable pour contourner les restrictions américaines, les plans de capacité de Yangtze Storage se heurtent à des obstacles persistants. Néanmoins, grâce à des efforts déterminés de R&D, notamment une NAND à 232 couches et une future NAND à plus de 300 couches, Yangtze Memory vise à surmonter les vents contraires externes et à faire progresser les capacités de la Chine en matière de semi-conducteurs.