En plus de la mémoire GDDR7 de 37 Gbit/s, Samsung Electronics se prépare également à présenter plusieurs autres innovations en matière de mémoire au salon IEEE-SSCC 2024. Tout d’abord, la société présentera une nouvelle mémoire flash QLCNAND 3D à 280 couches avec une densité de 1 To, qui pourra être utilisée dans la prochaine génération de disques SSD grand public et de stockage pour smartphones. La puce a une densité de zone magnétique de 28,5 Go/mm² et une vitesse de 3,2 Go/s.
Le type de flash NAND 3D le plus rapide qui alimente actuellement les SSD NVMe phares a un taux de transfert de données d'E/S d'environ 2,4 Go/s.
Le prochain calendrier ISSCC 2024 décrit les plans de démonstration pour la mémoire à haut débit, y compris les variantes 37 Gb/s et 35,4 Gb/s basées sur les spécifications Samsung et SKHynix GDDR7. Les deux sociétés ont l'intention de tirer parti des technologies innovantes de signalisation PAM3 et NRZ pour faire progresser la mémoire graphique.
Bien que la mémoire GDDR7 (avec des vitesses allant jusqu'à 32 Go/s) ait été officiellement lancée, Samsung et Hynix repoussent encore plus loin les limites avec des vitesses de développement de mémoire plus rapides. Micron s'est également joint à la bataille en annonçant son engagement à développer une mémoire GDDR7 à 36 Go/s, qui devrait être commercialisée dès 2026. Dans cette situation concurrentielle, Samsung et Hynix lanceront d'abord des modules avec des vitesses légèrement inférieures, et devraient lancer progressivement des modules à 35 Go/s dans un stade ultérieur.
Vient ensuite une nouvelle génération de puces mémoire DDR5 avec un taux de transfert de données de DDR5-8000 et une densité de 32 Gbits (4 Go). La puce utilise une architecture de cellules DRAM en mosaïque symétrique et est fabriquée sur la base du nœud de fonderie Samsung de cinquième génération au niveau 10 nm optimisé pour les produits DRAM.
Ce qui est impressionnant à propos de cette puce, c'est qu'elle permet aux fournisseurs de mémoire PC de créer des DIMM de 32 Go et 48 Go (configurations à une seule rangée) et des DIMM de 64 Go et 96 Go (configurations à deux rangées) à des vitesses DDR5-8000 (en supposant que la plate-forme puisse bien gérer la DDR5-8000 à double rangée).
Vitesse de la mémoire et bande passante en un coup d'œil :
[GDDR6/X]256 bits à 23 Gbit/s :736 Go/s
[GDDR6]384 bits à 20 Gbit/s :960 Go/s
[GDDR6/X]384 bits à 21 Gbit/s :1,00 To/s
[GDDR6]256 bits à 24 Gbit/s :768 Go/s
[GDDR6]384 bits à 24 Gbit/s :1,15 To/s
[GDDR7]256 bits à 32 Gbit/s :1,00 To/s
[GDDR7]384 bits à 32 Gbit/s :1,53 To/s
[GDDR7]256 bits à 37 Gbit/s :1,18 To/s
[GDDR7]384 bits à 37 Gbit/s :1,79 To/s