En août, SK Hynix a été le premier au monde à annoncer une mémoire flash NAND empilée de 321 couches, franchissant pour la première fois 300 couches, mais elle ne sera produite en série qu'au premier semestre 2025. Samsung, qui a toujours été le leader du stockage, ne peut pas rester les bras croisés, car la mémoire flash V-NAND de 9e génération, initialement prévue pour être produite en série en 2024, ne compte qu'environ 280 couches, et la 10e la génération en 2025-2026 atteindra plus de 430 couches.
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Se faire dépasser est évidemment quelque chose que Samsung ne peut pas tolérer. Jung-bae Lee, président de l'activité stockage de Samsung Electronics, a récemment révélé que la 9e génération de V-NAND progressait sans problème et qu'elle serait produite en série au début de l'année prochaine. Il est basé sur une architecture à double pile et a atteint le plus grand nombre de couches d'empilement du secteur.
Jung-BaeLee a noté : « Dans l'ère à venir des DRAM inférieures à 10 nm et des V-NAND verticales à 1 000 couches, de nouvelles innovations structurelles et matérielles sont cruciales. Par conséquent, nous développons des structures d'empilement tridimensionnelles et de nouveaux matériaux pour la DRAM tout en augmentant le nombre de couches, en réduisant la hauteur et en maximisant l'interférence cellulaire. La neuvième V-NAND, dont le lancement est prévu en 2024, utilisera une DRAM de classe 11 nm. Le billet de blog a également réitéré son engagement envers les modules de mémoire CXL (CMM) qui prendront en charge l'infrastructure composable des systèmes de nouvelle génération, en particulier les disques SSD haute capacité utilisant V-NAND.
Il n'a pas divulgué le nombre précis de couches, mais il a déjà été dit qu'il serait porté à plus de 300 couches. Il est difficile de dire s'il peut dépasser les 321 couches de SK Hynix, mais au moins il s'agira d'un nouveau sommet dans un avenir proche. Évidemment, Samsung a mis davantage l'accent sur la mémoire flash de 9e génération.