Selon diverses sources de la chaîne d'approvisionnement de l'industrie et des médias sociaux chinois, alors que la limite de performance des puces mobiles phares continue d'augmenter et que les solutions traditionnelles de refroidissement des téléphones mobiles deviennent de plus en plus strictes, Qualcomm envisage d'utiliser la technologie Heat Pass Block (HPB) de Samsung dans la série Snapdragon 8 Elite Gen 6 de nouvelle génération pour atténuer la pression thermique causée par le fonctionnement à haute fréquence.
Cette technologie HPB a été appliquée pour la première fois à la puce Exynos 2600 de processus 2 nm de Samsung, et les responsables affirment qu'elle peut réduire la résistance thermique d'environ 16 %. L'approche principale consiste à recouvrir directement la puce du processeur d'une couche conductrice thermique en cuivre pour permettre à la chaleur de s'évacuer rapidement de la source de la puce et de réduire le processus inefficace de diffusion de la chaleur vers les composants environnants, puis d'exportation passive. Dans le même temps, les modules de mémoire traditionnellement empilés au-dessus du SoC sont déplacés vers le côté de la puce, et l'ajustement de la disposition apparemment simple est combiné à la conductivité thermique élevée du cuivre pour réduire la formation de points chauds locaux.
La puce phare de la génération précédente de Qualcomm, Snapdragon 8 Elite Gen 5, a démontré le prix de cette voie « performances extrêmes pour une consommation d’énergie élevée ». La puce surpasse légèrement l'A19 Pro d'Apple dans les scores multicœurs Geekbench 6, mais au prix d'une consommation d'énergie environ 61 % plus élevée, soulignant la volonté de Qualcomm de pousser la dissipation thermique et la consommation d'énergie à l'extrême dans sa lutte pour la tête des scores de course. Dans ce contexte, une solution de refroidissement des sources plus efficace est considérée comme une condition préalable au prochain saut de performances.
Selon les rapports de Weibo, la fréquence la plus élevée du cœur de performance de la version Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro testée en interne par Qualcomm approche les 5 GHz. Dans un environnement expérimental ouvert, une telle fréquence peut être maintenue, mais une fois intégrée dans un boîtier de smartphone avec un espace limité, l’accumulation rapide de chaleur deviendra un goulot d’étranglement majeur. Bien que la prochaine génération de puces devrait passer au processus 2 nm de TSMC et améliorer l'efficacité énergétique, les avantages en matière d'efficacité énergétique apportés par le processus seront bientôt compensés à mesure que la fréquence continue d'augmenter dans la recherche de performances extrêmes.
Cela a également incité l'industrie à considérer le « refroidissement direct par source » comme le HPB comme une mise à niveau nécessaire au niveau structurel plutôt que comme une technologie expérimentale de niche. Les rapports indiquent que Qualcomm évalue HPB comme l'une des nombreuses solutions de refroidissement potentielles pour stabiliser la température des puces dans des scénarios de charge de pointe. Pendant longtemps, la dissipation thermique des téléphones portables reposait principalement sur des solutions telles que les chambres à vapeur et les dissipateurs thermiques en graphite. Cependant, à mesure que la densité de puissance des SoC continue d’augmenter, les avantages marginaux de ces méthodes traditionnelles s’affaiblissent.
Si Qualcomm intègre enfin HPB dans la série Snapdragon 8 Elite Gen 6, cela signifiera pour la première fois qu'il a clairement évolué vers des idées de « gestion thermique au niveau de la puce » au niveau de l'architecture de la puce. Cela sera également considéré comme l'aveu de Qualcomm que la stratégie de dissipation thermique existante, même après des années de polissage, approche de ses limites sous la forme actuelle du smartphone et du niveau de consommation d'énergie, et nécessite des ajustements plus profonds dans l'emballage et la conception structurelle.
À l'heure actuelle, Qualcomm n'a pas officiellement confirmé la nouvelle. Cependant, plusieurs lanceurs d'alerte de Weibo avaient déjà été les premiers à divulguer avec précision les détails liés à l'Exynos 2600. Cette série d'informations sur le Snapdragon 8 Elite Gen 6 et le refroidissement HPB est très cohérente dans la chronologie et le contenu, faisant croire au monde extérieur que sa crédibilité n'est pas faible. À un moment critique où les processeurs phares des téléphones mobiles évoluent vers la bande de fréquences de 5 GHz, la question de savoir si Qualcomm choisira de « unir ses forces » avec Samsung sur la technologie de dissipation thermique deviendra un objectif majeur de la prochaine compétition de puces mobiles haut de gamme.