Sous la vague de puissance de calcul entraînée par l'intelligence artificielle générative, TSMC, la première fonderie de plaquettes au monde, fait progresser à toute vitesse la mise en place de processus ultra-avancés. Il prévoit de jeter les bases de l'ère du 1 nanomètre simultanément avant et après la production en série de 2 nanomètres, creusant ainsi encore l'écart avec Samsung dans le domaine des procédés haut de gamme.
Selon certaines informations, le premier lot de puces de 2 nanomètres devrait être dévoilé cette année et la plupart des grands clients utiliseront les nœuds de processus N2 et N2P de TSMC, mais ce n'est que le point de départ de la concurrence dans les processus avancés. TSMC a commencé à planifier une voie de production au-delà du « plafond » en dessous de 2 nanomètres et a lancé les préparatifs préliminaires pour le processus à 1 nanomètre, dans l'espoir de continuer à consolider sa position dominante sur le marché de la fabrication de puces hautes performances et économes en énergie au cours des prochaines années.
Afin de répondre à l'augmentation continue de la demande de commandes et de prendre en compte les plans d'expansion de la production à long terme, TSMC construit actuellement un certain nombre de nouvelles usines, notamment des lignes de production liées au 1 nanomètre, avec un total de 12 usines. Ces usines deviendront d’importantes bases de production pour les nœuds de 2 nanomètres, A14 (environ 1,4 nanomètres) et ultérieurs plus avancés. Dans un contexte de demande croissante de processus de pointe dans des domaines tels que l'intelligence artificielle, les centres de données, les téléphones mobiles haut de gamme et les ordinateurs personnels, TSMC est considérée comme l'une des entreprises les mieux préparées à ce cycle de concurrence en matière de capitaux et de technologies.
Cependant, il faut encore du temps entre la planification du site et la production de masse formelle. Selon les rapports, le processus d'acquisition de nouveaux terrains d'usine par TSMC dans le cadre de la troisième phase du plan d'expansion de Longtan ne devrait pas être officiellement lancé avant 2029, ce qui signifie que la production de masse à grande échelle du processus de 1 nanomètre pourrait ne pas être réalisée avant 2030 ou 2031. Les initiés de l'industrie ont souligné que la recherche et le développement, la vérification et la construction d'usines de nœuds de processus avancés nécessitent des cycles longs et des investissements élevés. TSMC a choisi de se déployer à l'avance non seulement pour garantir sa capacité de production, mais aussi pour saisir l'opportunité dans la « course contre la montre » avec ses concurrents.
En revanche, le rythme de Samsung dans les nœuds de processus avancés s'accélère également, mais les défis auxquels il est confronté sont plus importants. Le rapport mentionne que Samsung envisage de démarrer la production de masse de plaquettes de 1 nanomètre en 2029 et a pris l'initiative de construire une usine de production avec un procédé de 2 nanomètres aux États-Unis, en essayant d'améliorer la compétitivité de sa fonderie grâce à la configuration géographique et aux percées technologiques. Cependant, le principal problème qui pèse sur Samsung n'est pas la vitesse d'avancement des nœuds, mais le rendement et la stabilité des processus, ce qui affecte directement la confiance des clients dans sa coopération à long terme.
Une analyse précédente a souligné que même si Samsung saisit l'opportunité d'introduire le processus 2 nm à grande échelle avant TSMC, son positionnement parmi les groupes de clients sera toujours plus proche d'une « solution alternative » plutôt que d'une fonderie préférée de première ligne qui peut concurrencer de front TSMC. Ce n'est qu'avec des améliorations significatives en termes de rendement et de fiabilité que Samsung pourra remporter davantage de commandes principales sur le marché des fonderies haut de gamme et véritablement bouleverser la position de leader actuelle de TSMC.
Dans ce contexte, Samsung devrait rester sur le nœud 2 nm pendant une période plus longue en échange d'une maturité des processus et d'une amélioration du rendement, dans l'espoir d'élargir sa clientèle et de réduire l'écart avec TSMC dans la guerre des processus haut de gamme. Cependant, à en juger par les progrès actuels, TSMC a pour objectif de lancer une production de masse de 1 nanomètre vers 2030. Une fois que cela se déroulera comme prévu, il continuera à conserver une nette avance dans le domaine des processus de fabrication ultra-avancés au cours des prochaines années.
Les analystes du secteur estiment que, grâce aux puces d'inférence et de formation de l'IA, aux centres de données à très grande échelle et aux équipements terminaux haut de gamme sensibles à l'efficacité énergétique, les nœuds de 1 nanomètre et moins deviendront le centre de la concurrence en matière de capital et de technologie au cours de la prochaine étape. À mesure que TSMC et Samsung accélèrent leurs implantations respectives, la concurrence sur le marché des fonderies haut de gamme deviendra de plus en plus féroce. Cependant, dans un avenir prévisible, TSMC aura toujours l'avantage sur la route vers le 1 nm en raison de la maturité de ses processus, de ses économies d'échelle et des avantages de sa structure client.