Résumé :
MemSilicon a annoncé l'achèvement de l'achèvement de la puce RRAM haute densité et grande capacité de première génération « MountTai 2026 » basée sur la technologie 1TnR.
Il est rapporté que « Taishan No. 1 » constitue une étape importante dans l'avancement par MemSilicon de la nouvelle technologie de puce mémoire 1TnR haute densité et grande capacité, depuis les premières recherches jusqu'à la commercialisation de puces de niveau Go. Cette voie technique augmente la capacité de stockage par unité de surface en partageant des transistors sélectionnés avec plusieurs cellules de mémoire à commutation résistive et utilise une méthode d'intégration back-end entièrement compatible avec la plate-forme CMOS pour atteindre à la fois la densité, la capacité et le coût.
La puce utilise une plate-forme de processus CMOS 28 nm et une structure d'unité 1T4R, avec une capacité de puce unique de 1 Go, une densité de 30 Mo/mm², un délai d'accès inférieur à 20 ns et un circuit de correction d'erreur matérielle intégré sur la puce. Il réalise une avancée collaborative entre la lecture de grande capacité, haute densité et haute vitesse, et fournit une solution compétitive au niveau international pour les nouvelles applications de stockage non volatile sur puce à haute densité et de grande capacité.
À l'heure actuelle, "Taishan No. 1" a terminé l'enregistrement et avance la vérification.
"Taishan No. 1" adopte une structure 1T4R, c'est-à-dire qu'un transistor de sélection correspond à quatre cellules de mémoire à commutation résistive. Mais le partage des transistors ne signifie pas que la densité et les performances du nombre de cellules mémoire augmentent proportionnellement. Les chemins de courant non ciblés entre plusieurs cellules de mémoire, les interférences de lecture et d'écriture et la fiabilité dans différentes conditions de fonctionnement nécessitent tous une optimisation conjointe des dispositifs, des processus et des conceptions de circuits.
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