Micron Technology a annoncé lundi avoir commencé la production en série de sa mémoire HBM3E. La puce HBM3E (KGSD) de la société sera utilisée dans le GPU de calcul H200 de NVIDIA pour les applications d'intelligence artificielle (IA) et de calcul haute performance (HPC), qui sera livré au deuxième trimestre 2024.
Micron a révélé qu'il produisait en masse des appareils 8-HiHBM3E de 24 Go, chacun avec un taux de transfert de données de 9,2 GT/s et une bande passante mémoire maximale de plus de 1,2 To/s. Par rapport au HBM3, le HBM3E augmente le taux de transfert de données et la bande passante mémoire maximale de 44 %, ce qui est particulièrement important pour les processeurs gourmands en bande passante comme le H200 de NVIDIA.
Le produit H200 de NVIDIA utilise l'architecture Hopper et offre les mêmes performances informatiques que le H100. Dans le même temps, il est équipé de 141 Go de mémoire HBM3E avec une bande passante de 4,8 To/s, ce qui est considérablement amélioré par rapport aux 80 GoHBM3 et à la bande passante de 3,35 To/s du H100.
Micron utilise sa technologie de processus 1β (1-beta) pour produire son HBM3E, une réalisation importante pour l'entreprise car elle consacre son dernier nœud de production aux produits de classe centre de données qui mettent la technologie de fabrication à l'épreuve. Avec la sortie prochaine par Micron de produits 36 Go 12-HiHBM3E en mars 2024, la feuille de route de la mémoire d'intelligence artificielle de l'entreprise a été encore consolidée. Dans le même temps, il reste à voir où ces appareils seront ensuite utilisés.
Le démarrage de la production en série de la mémoire HBM3E avant ses concurrents SKHynix et Samsung est une réussite majeure pour Micron, qui détient actuellement 10 % de part de marché dans le domaine HBM. Cette décision est essentielle pour l'entreprise car elle permet à Micron de lancer des produits haut de gamme plus tôt que ses concurrents, augmentant ainsi potentiellement ses revenus et ses marges tout en gagnant une plus grande part de marché.
Sumit Sadana, vice-président exécutif et directeur commercial de Micron Technology, a déclaré : « Micron a remporté un trio de victoires au cours de cette étape importante avec HBM3E : des délais de commercialisation supérieurs, des performances de pointe dans l'industrie et des fonctionnalités d'efficacité énergétique différenciées. Les charges de travail de l'intelligence artificielle dépendent fortement de la bande passante et de la capacité de la mémoire, et Micron est très bien placé pour soutenir la croissance substantielle de l'intelligence artificielle à l'avenir grâce à notre feuille de route HBM3E et HBM4, à la pointe du secteur, ainsi qu'à notre portefeuille complet. de solutions DRAM et NAND pour les applications d'intelligence artificielle.