La société de semi-conducteurs NEO Semiconductor a récemment annoncé l'utilisation de la technologie 3D X-DRAM pour repenser la mémoire à l'ère de l'intelligence artificielle et du calcul haute performance. La 3D X-DRAM imite la mémoire flash 3D NAND dans l'industrie du stockage, en empilant les puces verticalement sur plusieurs couches pour augmenter la densité et les performances.
NEO Semiconductor promet que les couches empilées peuvent augmenter considérablement la capacité de stockage, améliorer la bande passante et réduire la consommation d'énergie. Sa solution technique consiste à le diviser en plusieurs secteurs à travers des fentes verticales, et les couches de lignes de mots sont reliées par une structure hiérarchique (c'est-à-dire le style de l'architecture à empilement vertical).
Par rapport à la DRAM planaire actuelle de 48 Go du nœud 0A, NEO Semiconductor affirme que son architecture 3D X-DRAM peut permettre aux clés USB d'atteindre 512 Go. Ce type de clés USB de très grande capacité peut avoir une certaine demande dans les domaines de l'intelligence artificielle et du calcul haute performance.
Cependant, la puce de preuve de concept actuelle de NEO Semiconductor en est encore à ses débuts. NEO développe actuellement une version de test d'architecture 1T0C plus simple, et la version 1T1C, plus complexe et avancée, devrait être lancée en 2026. Cette version utilise des transistors à couches minces IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) avec des condensateurs diélectriques cylindriques à haute k, ce qui devrait augmenter le temps de rétention des données à 450 secondes et peut empiler 128 couches. À l'avenir, la conception 3T0C utilisera deux couches IGZO, principalement pour le calcul de la mémoire et les applications d'IA.
Bien entendu, ces mémoires de très grande capacité ne seront certainement pas lancées sur le marché grand public dans un court laps de temps, sans compter que le prix sera certainement très élevé et que le matériel grand public ne prendra pas en charge une seule clé mémoire de grande capacité de 512 Go. Par conséquent, après le développement réussi de NEO Semiconductor, il est nécessaire de coopérer avec les fabricants de matériel, au moins pour être d'abord pris en charge par le matériel du serveur.