Résumé :
Lors du sommet mondial 2026 de l'Open Compute Project (OCP 2026), Intel a présenté le dernier plan de développement de la technologie photonique sur silicium, soulignant que cette technologie deviendra une base importante pour les futurs centres de données de calcul haute performance (HPC) et d'intelligence artificielle (IA). Nic Dubé, vice-président d'Intel Data Center Systems and Solutions, a décrit la photonique sur silicium comme le « marteau d'or » de l'architecture système de nouvelle génération lors de la réunion, et a souligné qu'Intel est actuellement la seule fonderie de grande capacité capable de produire en masse à grande échelle des tranches photoniques de silicium en phosphure d'indium (InP) de 300 mm.
Alors que l'ampleur des accélérateurs d'intelligence artificielle continue de croître, la manière de déplacer rapidement les données entre d'énormes unités de traitement graphique (GPU), unités centrales de traitement (CPU) et ressources de mémoire est devenue un facteur clé pour déterminer les performances globales du système. Nick Dube a déclaré que les interconnexions traditionnelles en cuivre se rapprochent de plus en plus des limites physiques et sont confrontées à de graves goulots d'étranglement en termes de distance de transmission, de densité de bande passante périphérique et de consommation d'énergie de transmission par bit (pJ/bit). Pour surmonter ces limitations, l'architecture des centres de données doit accélérer l'évolution des fils de cuivre traditionnels vers les interconnexions optiques et pousser les objectifs de consommation d'énergie à moins de 5 picojoules par bit (5 pJ/bit).
Au niveau de la fabrication et de la technologie de base, Nick Dube a souligné les deux principaux obstacles concurrentiels d'Intel dans le domaine de la photonique sur silicium. Tout d'abord, Intel est actuellement la seule fonderie de plaquettes du secteur à disposer de capacités de production de masse à grande échelle pour la photonique sur silicium au phosphure d'indium de 300 mm, et a la capacité de fournir cette technologie à l'ensemble du secteur à grande échelle. Sur le marché actuel des émetteurs-récepteurs optiques, la capacité de production de puces laser et de matériaux à base de phosphure d'indium est limitée depuis longtemps. Intel a directement intégré la technologie de source lumineuse au phosphure d'indium dans le processus de fabrication de plaquettes de silicium de grande taille de 300 mm, ce qui a considérablement amélioré l'efficacité de la fabrication et la capacité de production. Deuxièmement, Intel possède une expérience unique et éprouvée à long terme en matière de fiabilité des lasers intégrés. Depuis son lancement commercial en 2016, Intel est profondément impliqué dans le domaine de la photonique sur silicium depuis plus de deux décennies et a livré plus de 8 millions d'émetteurs-récepteurs optiques et 32 millions de lasers intégrés. Cette fiabilité éprouvée, éprouvée lors de déploiements réels à grande échelle, est essentielle pour les architectures système cherchant à adopter des conceptions de sources lumineuses intégrées.
En termes d'applications au niveau système et d'évolution future, Intel s'appuie sur son processus photonique sur silicium de 300 mm et sa technologie de source lumineuse intégrée au phosphure d'indium pour promouvoir pleinement le développement de la technologie d'optique co-packagée (CPO) et d'optique quasi-packagée (NPO) afin d'obtenir des interconnexions optiques de plus haute densité. En introduisant directement des interfaces d'interconnexion optiques au niveau de l'emballage, les futures infrastructures d'IA et de HPC résoudront non seulement le goulot d'étranglement de la communication à haut débit entre les puces, mais étendront également l'interconnexion optique de la simple interconnexion au niveau de la puce à la mise en commun des ressources informatiques et au découplage de la mémoire à plus grande échelle, remodelant ainsi l'architecture système globale du centre de données d'intelligence artificielle de nouvelle génération.
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