Des sources affirment que Samsung et SK Hynix modernisent leurs usines chinoises pour produire des puces de mémoire flash plus avancées.

Résumé :

Le 21 octobre, Reuters a rapporté que Samsung Electronics et SK Hynix modernisaient leurs usines chinoises pour produire des puces de mémoire flash plus avancées afin de résister à la concurrence de leurs rivaux chinois à croissance rapide et de répondre à l'énorme demande en IA, ont déclaré quatre personnes proches du dossier.

SK Hynix

Depuis que les États-Unis ont commencé à mettre en œuvre des contrôles à l'exportation sur certains équipements de fabrication de puces en 2022, les obstacles réglementaires ont limité la capacité des deux sociétés à moderniser leurs usines et ont également entraîné l'érosion de leur part de marché par Yangtze Memory. Les deux sociétés doivent désormais demander chaque année des licences aux États-Unis si elles souhaitent installer des équipements de fabrication américaine, tels que des machines de gravure, dans des usines en Chine. Yangtze Memory a fait des progrès à un moment où Samsung et SK Hynix se demandaient combien ils devraient investir dans les usines en Chine.

Les données du cabinet de recherche Omdia montrent que

La mémoire Yangtze représentait 38,5 % du marché NAND chinois au deuxième trimestre, contre 28 % pour l'ensemble de 2025 et dépassant Samsung

36 % à 33,5 %

20 % à 17 %

Samsung et SK Hynix ont confirmé dans des déclarations à Reuters que la mise à niveau était en cours et en étroite consultation avec Washington, mais n'ont pas divulgué les détails du plan de production.

Cependant, Reuters n'a pas été en mesure de déterminer combien de licences d'exportation les autorités américaines avaient approuvées pour les équipements nécessaires aux plans de mise à niveau de Samsung et SK Hynix.

Selon des personnes proches du dossier, les deux sociétés travaillent dur pour produire des puces de mémoire flash NAND comportant plus de 200 couches dans les usines chinoises afin d'aligner leurs niveaux de production sur ceux des usines sud-coréennes. NAND est une puce mémoire capable de conserver les données même après une panne de courant. Il est largement utilisé dans les disques SSD utilisés dans les smartphones, les ordinateurs personnels et les centres de données IA. Plus une seule puce comporte de couches, plus la densité de stockage est élevée et plus le coût est bas.

L'usine Samsung de Xi'an, dans le nord-ouest de la Chine, produit actuellement environ 200 couches de puces, ont déclaré deux personnes proches du dossier. La production de l'usine représente environ 40 % de la production mondiale totale de mémoire flash NAND de Samsung. Samsung va de l'avant avec un projet nommé en interne "Monami". Le nom est d'origine française et signifie « mon ami ». Dans le cadre de ce projet, Samsung transforme cette usine pour produire des puces de mémoire flash NAND V9 à 286 couches, dans le but d'atteindre une production mensuelle de 5 000 plaquettes en décembre de cette année, et d'augmenter considérablement la production mensuelle à 40 000 plaquettes en décembre 2027.

Samsung a déclaré que la mise à niveau était conforme aux réglementations américaines en matière de contrôle des exportations. "Cette mise à niveau est conçue pour répondre aux besoins croissants des clients mondiaux, y compris ceux des États-Unis. La société n'a pas augmenté sa capacité de production ni construit de nouvelles installations de fabrication."

SK Hynix envisage de déplacer son usine de Dalian, dans le nord-est de la Chine, pour produire des produits de mémoire flash NAND comportant 240 couches ou plus, ont déclaré trois personnes proches du dossier. L'usine produit actuellement des produits à 192 couches. La société est autorisée à produire des puces comportant jusqu'à 240 couches à Dalian et pourrait demander l'autorisation de Washington pour développer localement des puces comportant plus de 300 couches, ont indiqué des sources proches du dossier, ce qui l'aiderait à jeter les bases d'une éventuelle production future aux États-Unis. L’entreprise est en discussion avec l’administration Trump sur un projet de construction d’une nouvelle usine NAND aux États-Unis.