Résumé :
YMTC, le plus grand fabricant chinois de mémoires flash NAND, augmente encore la proportion d'équipements de production localisés de semi-conducteurs. Reuters a rapporté le 6 novembre, citant deux personnes proches du dossier, que Yangtze Memory envisage d'augmenter la proportion d'achats d'équipements nationaux à au moins 60 % dans la quatrième usine de fabrication de plaquettes construite à Wuhan, avec un objectif même d'atteindre 70 %. Ce chiffre sera nettement supérieur à la part actuelle d'équipement domestique, qui est d'un peu plus de 50 % dans la troisième usine de l'entreprise.
Ce plan reflète non seulement l'accélération du processus de localisation de la propre chaîne d'approvisionnement de Yangtze Memory, mais signifie également que les entreprises chinoises d'équipements de semi-conducteurs devraient avoir davantage d'opportunités pour entrer dans les lignes de production avancées de puces mémoire.
Selon des personnes proches du dossier, la construction de la quatrième usine de Yangtze Memory devrait commencer en 2027, et le site est toujours à Wuhan, où se trouve le siège de l'entreprise. À l'heure actuelle, la société a lancé des discussions préliminaires avec certains fournisseurs d'équipements nationaux, mais n'a pas encore officiellement émis de bons de commande d'équipements. Par conséquent, la proportion d'équipements domestiques et l'avancement de la construction peuvent encore changer.
Le positionnement technologique de cette nouvelle usine est assez clair : produire des puces de mémoire flash NAND avancées avec plus de 300 couches empilées verticalement. À mesure que les cellules de mémoire continuent d'augmenter dans la direction verticale, davantage de données de stockage peuvent être hébergées par unité de surface de puce, augmentant ainsi la densité de stockage. Ces produits NAND haute capacité sont particulièrement importants pour les centres de données, les serveurs d’intelligence artificielle et les périphériques de stockage d’entreprise.
Yangtze Memory prévoit de concentrer la production de sa quatrième usine sur les puces mémoire nécessaires aux centres de données et aux applications d'intelligence artificielle. À mesure que l'échelle des modèles d'IA continue de croître, les données d'entraînement, les paramètres du modèle et les données générées au cours du processus d'inférence nécessitent un grand nombre de périphériques de stockage à grande vitesse et de grande capacité, et l'importance de la mémoire flash NAND au niveau de l'entreprise a également augmenté.
Si la quatrième usine parvient enfin à produire en masse plus de 300 couches de NAND, la compétitivité technologique de Yangtze Memory sur le marché chinois sera encore renforcée. Reuters a souligné que cet objectif pourrait même lui permettre de disposer de plus de niveaux technologiques de production en Chine que certains concurrents étrangers.
À titre de comparaison, Samsung Electronics change son usine de Xi'an pour produire une mémoire flash NAND à 286 couches, tandis que SK Hynix prévoit de mettre à niveau son usine de Dalian à plus de 240 couches, soit une augmentation par rapport aux 192 couches précédentes. Alors que les contrôles américains à l'exportation restreignent l'entrée de certains équipements avancés de fabrication de semi-conducteurs en Chine, les deux sociétés sud-coréennes sont également confrontées à des restrictions supplémentaires sur l'expansion de la production à grande échelle et les mises à niveau technologiques dans les usines chinoises.
La position actuelle de Yangtze Memory sur le marché chinois des mémoires flash NAND s’améliore rapidement. Les données de l'organisme d'études de marché Omdia montrent qu'au deuxième trimestre 2026, la part de Yangtze Memory sur le marché chinois des NAND a atteint 38,5 %, soit plus de 28 % en 2025, et a dépassé Samsung Electronics pour devenir le fabricant de NAND avec la part de marché la plus élevée en Chine.
L'objectif de localisation des équipements de la quatrième usine offrira également d'importantes opportunités aux fabricants chinois d'équipements de semi-conducteurs.
Des sources bien informées ont déclaré que les nouvelles commandes d'équipements nationaux devraient être principalement concentrées dans des domaines de production tels que le nettoyage, le polissage et la gravure des plaquettes. Ces processus constituent des étapes de base indispensables dans le processus de fabrication de la mémoire flash NAND. Les fournisseurs d'équipements chinois ont accumulé une grande expérience en matière d'application dans les lignes de production existantes de Yangtze Memory.
Parmi eux, Northern Huachuang et China Microelectronics devraient bénéficier de nouvelles commandes. Les deux sociétés disposent respectivement d'une gamme de produits relativement étendue dans le domaine des équipements de fabrication de semi-conducteurs, en particulier dans les domaines de la gravure, du dépôt de couches minces et des équipements de processus associés, et continuent de promouvoir la recherche et le développement technologiques.
En fait, Yangtze Storage a atteint un degré élevé de substitution des équipements domestiques dans certains maillons de production. Les fournisseurs nationaux sont actuellement en mesure de fournir la plupart des équipements de nettoyage et de polissage requis pour leurs lignes de production et ont progressé dans l'équipement de traitement à structure verticale profonde requis pour fabriquer des puces NAND avancées.
Cependant, la localisation ne signifie pas que Yangtze Storage s'est complètement débarrassé de sa dépendance à l'égard des équipements étrangers. Pour certains maillons de fabrication techniquement plus difficiles, les entreprises doivent encore utiliser des équipements de pointe fournis par des fournisseurs étrangers, notamment en matière de photolithographie, d'inspection et d'autres processus de fabrication complexes.
Ces liens impliquent des seuils techniques extrêmement élevés. L'équipement doit non seulement disposer de capacités de traitement de précision, mais doit également répondre à la stabilité et au rendement requis pour la production en série à grande échelle de puces mémoire avancées. Même si les équipements nationaux peuvent réaliser certains processus, cela ne signifie pas qu'ils peuvent immédiatement remplacer complètement les produits étrangers dans tous les processus avancés.
États-Unis Les contrôles à l'exportation sont un facteur important qui permet à Yangtze Storage d'accélérer le remplacement des équipements nationaux. Le ministère américain du Commerce a ajouté Yangtze Storage à la liste des entités en décembre 2022, imposant des exigences de licence aux fournisseurs américains qui lui vendent des technologies et des équipements spécifiques.
Dans le même temps, les usines exploitées par Samsung et SK Hynix en Chine sont également affectées par les contrôles à l'exportation américains et nécessitent chaque année les autorisations nécessaires pour introduire des équipements semi-conducteurs fabriqués aux États-Unis dans les usines chinoises. Le gouvernement américain a également déclaré précédemment qu'il n'avait pas l'intention d'approuver l'exportation d'équipements qui permettraient à ces entreprises d'augmenter considérablement leur capacité de production ou de réaliser des améliorations technologiques majeures en Chine.
Dans ce contexte, l'augmentation de la proportion d'équipements domestiques de Yangtze Storage n'est pas seulement une nécessité pour l'indépendance de la chaîne d'approvisionnement, mais aussi un arrangement important pour garantir que les usines avancées puissent continuer à accroître leur production à l'avenir.
Il convient de noter que la quatrième usine ne représente pas l’intégralité des futurs projets d’expansion de Yangtze Memory. Reuters avait précédemment rapporté en avril de cette année que l'entreprise prévoyait de construire deux usines supplémentaires à Wuhan, portant ainsi son nombre total d'usines à cinq.
Selon les informations fournies par des personnes proches du dossier, les troisième, quatrième et cinquième usines devraient chacune être en mesure de traiter environ 100 000 tranches de silicium par mois après leur mise en service complète. Les trois usines combinées donneront à Yangtze Memory plus du double de sa capacité de fabrication actuelle.
Cela signifie que Yangtze Memory avance sur deux voies stratégiques en même temps : d'une part, elle étend sa capacité de production de mémoire flash NAND en construisant de nouvelles usines ; d’autre part, elle réduit l’impact des restrictions technologiques étrangères sur la production et l’expansion en augmentant la proportion d’achats d’équipements nationaux.
Cependant, la quatrième usine est encore en phase de planification et de contact avec les fournisseurs. Le temps réel de production en série de plus de 300 couches de NAND, la proportion d'équipements localisés et le rendement de production final doivent encore être vérifiés ultérieurement.
D'un point de vue industriel, l'importance de ce projet va au-delà du stockage sur le fleuve Yangtze lui-même. Dans le passé, les sociétés chinoises d'équipement de semi-conducteurs ont principalement accru leur part de marché dans des processus matures et dans certains liens de fabrication de base, tandis que Yangtze Memory tente d'introduire davantage d'équipements nationaux dans les lignes de production avancées de NAND 3D. Si ces dispositifs peuvent fonctionner de manière stable dans une production de masse à grande échelle, cela offrira d'importantes opportunités de vérification aux équipements semi-conducteurs nationaux pour entrer dans des domaines d'application avec des seuils techniques plus élevés.
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