Samsung Electronics présentera son premier outil de lithographie EUV High-NA0.55, réalisant ainsi une avancée majeure dans la technologie de fabrication de semi-conducteurs. La société prévoit d'installer le système ASMLTwinscanEXE:5000 sur son campus de Hwaseong entre le quatrième trimestre 2024 et le premier trimestre 2025, marquant une étape clé dans le développement d'une technologie de processus de nouvelle génération pour la production de logique et de DRAM.
Cette décision place Samsung un an derrière Intel dans l'adoption de la technologie High-NAEUV, mais devant ses rivaux TSMC et SK Hynix. Le système devrait être opérationnel d’ici la mi-2025 et sera principalement utilisé à des fins de recherche et de développement.
Samsung ne se concentre pas seulement sur l'équipement de lithographie lui-même, mais construit également un écosystème complet autour de la technologie High-NAEUV. La société travaille avec plusieurs partenaires clés tels que Lasertec (développement d'équipements d'inspection pour les réticules High-NA), JSR (développement de photorésists avancés), Tokyo Electron (amélioration des graveurs) et Synopsys (passage à des motifs incurvés sur les réticules pour améliorer la précision des circuits). La technologie à NAEUV élevé devrait faire des progrès significatifs dans la fabrication de puces.
Par rapport aux systèmes ultraviolets actuels de faible niveau nanoseconde, la technologie ultraviolette de deuxième niveau High-NA a une capacité de résolution de 8 nanomètres, ce qui peut réduire la taille des transistors d'environ 1,7 fois et augmenter la densité des transistors de près de trois fois. Cependant, la transition vers un NAEUV élevé se heurte également à des défis. Ces outils sont plus chers, coûtant jusqu'à 380 millions de dollars chacun, et ont des zones d'imagerie plus petites. Sa plus grande taille oblige également les fabricants de puces à repenser la disposition des usines.
Malgré ces obstacles, Samsung vise à parvenir à une application commerciale de la technologie d’ultra-vide High-NA d’ici 2027.