TSMC pourrait retarder son nœud de fabrication de semi-conducteurs de 2 nm jusqu'en 2026. Si les rumeurs selon lesquelles TSMC retarderait son plan de production de 2 nanomètres sont vraies, l'impact se fera sentir dans toute l'industrie des semi-conducteurs. L'hésitation de TSMC à faire progresser la technologie pourrait être causée par un certain nombre de facteurs, notamment le changement architectural de FinFET vers Gate-All-Around (GAA) et les défis potentiels associés à la mise à l'échelle jusqu'à 2 nm.
TSMC prévoit de construire une usine Fab20 dans la deuxième phase de Zhuke Baoshan, prévoyant un total de quatre usines de fabrication de plaquettes de 12 pouces (P1 ~ P4). Il était initialement prévu que la production d'essais de risque entre en production au second semestre 2024 et la production de masse en 2025. Les derniers progrès sont que le bureau de gestion de Zhuke a commencé les travaux publics pour la deuxième phase du plan d'expansion de Baoshan, tels que les routes environnantes, les bassins d'eaux usées, etc., et a remis le terrain à TSMC pour démarrer simultanément les opérations de construction d'usine.
Selon les dernières nouvelles de la chaîne d'approvisionnement, le plan de construction de l'usine de Baoshan a commencé à ralentir, ce qui pourrait affecter le plan initial de production de masse. Les initiés du secteur pensent que la période de montée en puissance pourrait être reportée à 2026.
Quant à l'usine de Kaohsiung, elle a démarré simultanément la construction d'une usine de 2 nanomètres avec celle de Baoshan à Hsinchu. L'opération initiale de commande de machines a eu lieu seulement un mois plus tard que celle de l'usine de Baoshan. Il n'est pas certain pour l'instant si le ralentissement de l'usine de Baoshan affectera en même temps celle de Kaohsiung. Quant à la centrale de Taichung, elle a passé avec succès l'examen municipal du gouvernement de la ville de Taichung, mais le début de la construction devra attendre l'année prochaine. Certains médias ont déclaré que l'usine de Zhongke n'excluait pas de passer directement au centre de production de 1,4 nanomètre, voire de 1 nanomètre.
L'entreprise est un acteur majeur dans le domaine et un retard de production pourrait ouvrir des opportunités à des concurrents tels que Samsung, dont les puces de 3 nanomètres sont déjà passées à l'architecture à transistors GAA. Le rapport sur la demande « déprimée » est surprenant compte tenu de l’énorme demande de nœuds avancés due à l’essor de l’intelligence artificielle, de l’Internet des objets et d’autres technologies de nouvelle génération.
Cependant, il est également possible qu'il soit trop tôt pour que les clients prennent des engagements fermes jusqu'en 2025 et au-delà. TSMC a réfuté ces rumeurs, affirmant que la construction était en bonne voie, avec notamment des essais de 2 nm en 2024 et une production de masse au second semestre 2025.
Néanmoins, tout retard dans la feuille de route de TSMC pourrait servir de catalyseur à des changements dans la dynamique du marché. Les entreprises qui s'appuient fortement sur les nœuds avancés de TSMC devront peut-être réévaluer leurs délais et leurs stratégies. De plus, si Samsung parvient à saisir cette opportunité, il pourra parvenir dans une certaine mesure à une concurrence égale. Toutefois, pour l’instant, ces rumeurs doivent être traitées avec prudence jusqu’à ce que des informations plus concrètes soient obtenues.