Résumé :
La nouvelle génération de mémoire HBM4E à 12 couches à large bande passante de Samsung Electronics aurait passé avec succès la vérification de la qualité par NVIDIA et plusieurs grands fournisseurs de services cloud. Le journal sud-coréen « Korea Economy » a rapporté que le département mémoire de Samsung avait terminé les tests pertinents fin septembre ; cependant, la réussite du test ne signifie pas qu'un contrat de fourniture a été signé, et la quantité de commande respective du client, le montant du contrat et le délai de livraison de la production de masse n'ont pas encore été confirmés. Samsung a déclaré qu'il ne pouvait pas confirmer les nouvelles de vérification.
TechPowerUp a donc lié le rapport à l'accélérateur Rubin Ultra de nouvelle génération de NVIDIA, mais le rapport coréen original ne mentionnait que NVIDIA et les principaux clients des centres de données hyperscale, et ne disait pas explicitement que le test visait Rubin Ultra. Les données du GPU Rubin actuellement divulguées par NVIDIA confirment qu'il utilise HBM4, avec une configuration maximale de 288 Go et une bande passante allant jusqu'à 22 To/s ; les détails de la commande ou de la certification de Rubin Ultra utilisant le Samsung HBM4E n'ont pas encore été annoncés, la correspondance entre les deux reste donc de la spéculation.
L'échantillon HBM4E annoncé par Samsung en mai est une pile à 12 couches avec une seule pile de 48 Go. La vitesse de broche standard est de 14 Gbit/s et peut être étendue à 16 Gbit/s. Selon les données publiées par Samsung, la bande passante d'une pile unique peut atteindre jusqu'à 3,6 To/s, et la bande passante théorique est d'environ 4 To/s à la limite supérieure de 16 Gbit/s. La société prévoit également d'étendre la version 32 Go à 8 couches et la version 64 Go à 16 couches en fonction de la demande des clients, mais ces spécifications ne signifient pas que les produits correspondants ont été fabriqués en série.
Samsung a déclaré que le HBM4E utilise le processus DRAM de 10 nanomètres de sixième génération (1c) et sa propre puce de base logique de 4 nanomètres ; par rapport à la génération précédente, la conception basse consommation et l'optimisation de l'emballage améliorent l'efficacité énergétique de 16 % et réduisent la résistance thermique de plus de 14 %. La société a envoyé des échantillons de 12 couches à ses principaux clients en mai de cette année et a déclaré que la production de masse se coordonnerait avec les calendriers des clients ; ceci est différent de la progression de la vérification du client. A ce stade, il n'est toujours pas possible de conclure que Samsung a obtenu une commande de fourniture de production en série de la part de Nvidia.
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