Résumé :
La société chinoise de puces mémoire Changxin Memory (CXMT) devrait lancer officiellement la production en série de mémoire HBM3E à large bande passante avant la fin de 2026, marquant la première fois qu'un fabricant chinois local entre sur le marché avancé des HBM. Ces progrès sont considérés comme une étape importante pour que la chaîne industrielle chinoise de l'intelligence artificielle améliore ses capacités d'approvisionnement indépendantes.
Selon les dernières nouvelles du secteur, Changxin Storage prévoit de démarrer la production en série de HBM3E au cours des deux prochains mois. En août de cette année, la société a lancé la production d'essais de risque du HBM3E et a fourni des échantillons à certains clients. Aujourd’hui, les produits connexes avancent progressivement vers le stade de la commercialisation.
HBM est l'une des technologies de stockage les plus critiques pour les accélérateurs d'intelligence artificielle, les GPU des centres de données et les systèmes informatiques hautes performances actuels. En raison de sa capacité à fournir une bande passante beaucoup plus élevée que la DRAM traditionnelle, HBM est devenu un composant essentiel indispensable pour la formation et l’exécution de modèles d’intelligence artificielle à grande échelle. À l'heure actuelle, le marché mondial des HBM est principalement contrôlé par SK Hynix, Samsung Electronics et Micron.
Selon les normes JEDEC, le HBM3E adopte une conception de bus 1024 bits et la vitesse de transmission à une broche peut atteindre 9,2 Gbit/s à 12,4 Gbit/s. La configuration principale est généralement de 9,6 Gbit/s. Sa bande passante totale est d'environ 1,2 To/s et il peut fournir des configurations de capacité allant de 24 Go à 36 Go, y compris deux solutions grand public : l'empilement à 8 couches et l'empilement à 12 couches.
Cependant, la production de masse n'est pas facile pour Changxin Storage. L'actualité du secteur montre que le HBM3E est toujours confronté à des problèmes de rendement. Étant donné que HBM utilise des matrices DRAM multicouches empilées verticalement via TSV via une technologie utilisant du silicium, ce qui nécessite des processus de fabrication et d'emballage extrêmement élevés, le taux de rendement est devenu un facteur important limitant l'expansion de la capacité de production.
Des sources ont révélé que le taux de rendement global actuel du Changxin Storage HBM3E est d'environ 20 % à 30 %, ce qui est nettement inférieur au niveau des principaux fabricants internationaux. Parmi eux, le taux de rendement au stade initial de la fabrication des plaquettes est d'environ 30 %. Après être entré dans l'emballage back-end, le taux de réussite peut être encore amélioré d'environ 70 %. Toutefois, au final, le taux de rendement global peut encore largement être amélioré.
Les analystes du secteur estiment que le plus grand défi technique pour Changxin Storage vient actuellement de la maturité de la technologie TSV. Par rapport aux fabricants internationaux, il existe encore une certaine lacune dans son processus d'empilage. Par exemple, Samsung utilise environ 5 000 connexions TSV sur une seule couche à l’ère HBM2, tandis que SK Hynix en a dépassé 8 000 sur les produits HBM3. Changxin Memory tente d'utiliser environ 3 000 TSV pour mettre en œuvre la conception HBM3E, qui impose des exigences plus élevées en matière de précision et de fiabilité de fabrication.
Limité par des facteurs techniques pertinents, Changxin Storage devrait se concentrer à court terme sur les produits HBM3E empilés à 8 couches et ne progressera pas rapidement vers des produits empilés à 12 couches avec une plus grande capacité pour le moment.
Dans le même temps, plusieurs agences de presse ont révélé que Changxin Memory avait fourni deux versions d'échantillons HBM3E aux sociétés nationales de puces IA, dont une version standard et une nouvelle version optimisée pour le rendement. Les échantillons pertinents sont actuellement testés et vérifiés du côté du client.
En termes de performances, les tests préliminaires montrent que les performances globales des produits HBM3E actuels de Changxin Storage sont plus proches de celles de la génération précédente de HBM3 de SK Hynix, mais il existe encore un écart par rapport aux produits HBM3E avancés au niveau international. Cependant, des experts de l'industrie ont souligné que pour les fabricants qui viennent tout juste de se lancer dans la voie HBM, parvenir à une production de masse constitue en soi une avancée majeure.
Les analystes estiment que même si le taux de rendement actuel n'est pas élevé, Changxin Storage a toujours la motivation de continuer à promouvoir la production de masse. Alors que la demande des fabricants chinois de puces d'IA en mémoire à large bande passante augmente rapidement, l'importance des sources d'approvisionnement locales en HBM continue de croître. Face à l'offre restreinte de stockage avancé d'IA et à la pression exercée par les restrictions à l'importation, il existe une demande évidente pour les produits HBM sur le marché intérieur.
Le marché a récemment connu une augmentation des prix des puces d'IA, et la fourniture de mémoire à large bande passante est généralement considérée comme l'une des raisons importantes. Les sociétés de puces, notamment Alibaba Pingtouge et Cambrian, ont déjà été amenées à tester des solutions HBM nationales dans l'espoir de réduire leur dépendance à l'égard des chaînes d'approvisionnement étrangères.
L'industrie prédit que si la vérification des clients se déroule sans problème, les produits nationaux d'accélérateur d'IA utilisant Changxin Storage HBM3E devraient entrer sur le marché dès 2027. Bien qu'il existe encore un écart technologique d'une à deux générations par rapport aux principaux fabricants mondiaux, l'entrée de Changxin Storage dans le domaine HBM signifie que l'écosystème matériel d'IA local de la Chine complète les pièces clés du puzzle et commence à défier le marché du stockage d'IA haut de gamme.
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