Résumé :
Le fabricant chinois de puces de mémoire flash Yangtze Memory Technology Co., Ltd. (YMTC) étend sa configuration technologique de la mémoire flash NAND à la mémoire DRAM. Selon des informations récemment divulguées par Counterpoint Research, Yangtze Memory développe des produits de mémoire à faible consommation avec un taux de transmission de données de 9 600 MT/s et prévoit de promouvoir la production de masse dans sa troisième usine de fabrication de plaquettes à Wuhan. Cela signifie que Yangtze Memory tente d'entrer sur le marché de la DRAM qui a longtemps été dominé par Samsung, SK Hynix, Micron et d'autres sociétés.
Selon un rapport de Counterpoint Research, Yangtze Memory développe et teste une mémoire LPDDR5 de 16 Go de deuxième génération dans sa deuxième usine de fabrication de plaquettes depuis octobre 2025. Le débit de transmission de données cible est de 7 500 MT/s et la capacité de production mensuelle des lignes de production concernées est d'environ 5 000 plaquettes. Cependant, ce projet en est encore au stade de la recherche, du développement et des tests, et le rapport n’indique pas que le produit est entré dans une production commerciale à grande échelle.
Sur cette base, Yangtze Storage développe également une version à plus haut débit de 9 600 MT/s. Différente du projet de R&D de la génération précédente, la nouvelle solution prévoit d'utiliser des transistors à canal vertical (VCT) et une architecture de cellules mémoire 4F², et prévoit de promouvoir la production de masse dans la troisième usine de fabrication de plaquettes. Il convient de noter que les informations existantes décrivent les objectifs de R&D et les futurs plans de production, et ne confirment pas que le produit à 9 600 MT/s a terminé la vérification ou est officiellement entré en production de masse.
La clé de cette voie technique est de savoir comment réduire davantage la surface occupée par les cellules de stockage DRAM. La DRAM traditionnelle adopte généralement une disposition de cellule mémoire 6F², où F représente la taille minimale des fonctionnalités dans la conception du processus. L'architecture 4F² tente de réduire la surface plane occupée par chaque unité de mémoire en disposant verticalement les transistors et autres structures, augmentant ainsi la capacité de stockage pouvant être intégrée par unité de surface de puce.
Si l'architecture 4F² permet d'obtenir une fabrication stable selon des processus avancés, il y aura théoriquement une opportunité d'augmenter la densité d'intégration des puces DRAM et de créer un espace pour réduire les coûts de capacité unitaire. Cependant, cette architecture est également confrontée à des défis en termes de structure des transistors, de processus de fabrication, de contrôle des fuites, de fiabilité et de rendement. Même si un prototype de laboratoire peut atteindre la vitesse cible, cela ne signifie pas qu’il possède les performances complètes requises pour une production commerciale à grande échelle.
Le choix de Yangtze Storage dans cette direction est lié à son accumulation de technologies existantes. La société est célèbre pour son activité de mémoire flash NAND. Sa technologie Xtacking améliore la flexibilité de la conception et de la fabrication des mémoires flash en fabriquant séparément la matrice de stockage et les circuits périphériques, puis en les intégrant par liaison. Counterpoint Research estime que Yangtze Memory tente d'étendre son expérience technique pertinente au domaine de la DRAM. Cependant, il existe des différences évidentes dans la structure de l'unité de stockage, le mécanisme de fonctionnement et les exigences de fabrication entre la NAND et la DRAM. On ne peut pas simplement croire que le succès dans le domaine des mémoires flash puisse être directement copié sur le marché des mémoires.
Il convient de noter que Yangtze Storage n'est pas le seul fabricant de stockage chinois à essayer l'architecture 4F². Un autre fabricant de DRAM, Changxin Memory (CXMT), explore également cette voie technologique et prévoit de lancer des modules de mémoire DDR5 doubles en ligne basés sur l'architecture 4F² d'ici la fin de 2026. Cependant, le plan est également confronté à des incertitudes en matière de vérification technique et de faisabilité de la production de masse.
Les géants internationaux du stockage sont prudents quant aux perspectives de l'architecture 4F². Micron Technology a déjà publiquement remis en question les problèmes fondamentaux liés au rétrécissement ultérieur de cette structure d'unité de mémoire, estimant qu'il existe encore des obstacles techniques insurmontables à son application à grande échelle. Cela reflète le fait que l'industrie actuelle de la DRAM n'est pas encore parvenue à un jugement unanime sur la voie technique de l'architecture des cellules mémoire de nouvelle génération. La question de savoir si Yangtze Storage et Changxin Storage peuvent résoudre ces problèmes grâce à différentes conceptions techniques reste à vérifier par les produits ultérieurs et les données de fabrication.
Dans le même temps, le moment choisi pour l'entrée de Yangtze Memory sur le marché de la DRAM est également lié à l'évolution de l'offre et de la demande dans l'industrie mondiale du stockage. L’expansion rapide des centres de données d’intelligence artificielle a entraîné une croissance de la demande de mémoire à large bande passante, de DRAM pour serveur et de disques SSD. Samsung, SK Hynix et Micron investissent beaucoup de ressources dans les produits de stockage liés à l'intelligence artificielle, et la mémoire utilisée dans les ordinateurs et smartphones ordinaires est également affectée par les changements dans la structure de l'offre. Pour les fabricants chinois, s'ils parviennent à lancer régulièrement des produits DRAM offrant des performances qualifiées et un coût compétitif, ils auront l'opportunité d'augmenter la part de marché de la mémoire nationale.
Cependant, l'impact de ce plan de recherche et développement sur le marché mondial de la mémoire ne peut être surestimé à court terme. Counterpoint Research a souligné que les progrès de la recherche et du développement des produits à 9 600 MT/s de Yangtze Memory, le statut de vérification des clients et le statut d'exécution de la production de masse de la troisième usine de fabrication de plaquettes sont tous des indicateurs qui doivent être observés de près à l'avenir. Il n'existe actuellement pas suffisamment d'informations publiques pour prouver que le produit a atteint les performances cibles, et il n'existe pas de calendrier de production de masse clair, de données de production ou d'informations sur le rendement de fabrication.
De plus, 9 600 MT/s ne sont qu'un des indicateurs de taux de transfert de données et ne peuvent à eux seuls déterminer la compétitivité globale des produits de mémoire. Pour les mémoires basse consommation telles que LPDDR5X, la consommation électrique, la dissipation thermique, la stabilité, la capacité, le schéma de conditionnement, la compatibilité et le coût sont tout aussi importants. Même si Yangtze Memory peut éventuellement atteindre cette vitesse, elle devra encore être vérifiée par les fabricants de terminaux avant de pouvoir entrer dans la chaîne d'approvisionnement des smartphones, ordinateurs portables ou autres appareils.
Dans une perspective à plus long terme, Yangtze Storage tente de briser la division initiale du travail dans l'industrie du stockage en Chine. Dans le passé, l'activité principale de Yangtze Memory était la mémoire flash NAND, tandis que Changxin Memory développait principalement la mémoire DRAM. Aujourd'hui, les deux sociétés explorent leurs marchés respectifs, et la concurrence future pourrait non seulement concerner la vitesse et le prix des produits, mais également s'étendre aux processus de fabrication, à l'architecture des cellules mémoire, à la configuration des brevets et à l'échelle de la capacité de production.
De manière générale, Yangtze Memory a développé une mémoire LPDDR de 9 600 MT/s et prévoit de promouvoir la production de masse dans sa troisième usine de fabrication de plaquettes, démontrant ainsi qu'elle développe activement son activité DRAM. Mais il s’agit toujours d’un projet qui doit faire l’objet d’une vérification technique et de tests de fabrication à grande échelle, plutôt que d’un produit mature déjà sur le marché. À l’avenir, ce qui déterminera réellement sa capacité à rivaliser avec les géants internationaux du stockage seront la performance des produits, le rendement de fabrication, le contrôle des coûts et la capacité de continuer à augmenter la capacité de production.
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