La technologie remplace les condensateurs traditionnels par des éléments ferroélectriques en oxyde de hafnium (HfO₂), permettant un stockage longue durée sans avoir besoin d'énergie tout en maintenant des temps d'accès de l'ordre de l'ordre de la nanoseconde. Cette technologie hybride comble l'écart de performances entre la DRAM haute vitesse et la mémoire de stockage telle que la mémoire flash NAND.
Contrairement aux précédentes coentreprises DRAM d'Infineon et Qimonda en Europe qui n'ont pas réussi à répondre aux exigences économiques de la mémoire de base, FMC cible les applications professionnelles qui valorisent la durabilité et l'efficacité énergétique. L'approche basée sur HfO₂ répond aux limites des précédentes implémentations de mémoire FeRAM utilisant du titanate de zirconate de plomb (PZT), qui ne pouvaient pas dépasser les mégaoctets de capacité.
Les prototypes démontrent désormais des densités de l'ordre du gigabit compatibles avec les processus de fabrication inférieurs à 10 nm pour les DRAM conventionnelles fabriquées par Micron, Samsung, SK Hynix et autres. En éliminant les cycles de rafraîchissement, la DRAM+ réduit considérablement la consommation d'énergie statique par rapport aux cellules DRAM traditionnelles à transistor unique/capacité unique. Les applications clés incluent les accélérateurs d'IA nécessitant des poids de modèle persistants, les calculateurs automobiles avec des exigences de démarrage instantané et les implants médicaux à puissance limitée.
Neumonda apportera sa suite de plates-formes de test, Rhinoe, Octopus et Raptor, pour la caractérisation et l'analyse électriques à des coûts d'investissement inférieurs à ceux des équipements de test de semi-conducteurs standard. Le calendrier de production des produits commerciaux DRAM+ n'a pas encore été annoncé.