Résumé :
Lors de la Conférence mondiale de la fabrication 2026 à Hefei, Changxin Technology a officiellement annoncé la production en série de la plate-forme technologique DRAM de cinquième génération (plate-forme G5), a simultanément présenté des produits LPDDR5X de grande capacité basés sur la plate-forme et a présenté publiquement pour la première fois la mémoire LPDDR6 produite en série.
La principale avancée de la plateforme G5 réside dans la réduction des processus. Cette plate-forme s'appuie sur la technologie Quadruple Patterning pour réduire le demi-pas de la zone active de la matrice de mémoire à 11,95 nanomètres, ce qui est proche du processus de plate-forme de production de masse de mémoire le plus élevé au monde.
À titre de référence, le nœud DRAM le plus avancé actuel de Samsung est de 12 nm, et le 11,95 nm du Changxin G5 est comparable au niveau de production de masse de Samsung. La clé est que cette percée a été réalisée en utilisant le DUV à immersion ArF sans recourir aux machines de lithographie EUV.
En plus du rétrécissement de la largeur des lignes, la plate-forme G5 a également amélioré le rapport d'aspect du condensateur de stockage à 45:1 en modifiant le flux de processus et en utilisant de nouveaux matériaux, et a développé un processus de grille métallique à constante diélectrique élevée (HKMG) adapté au processus DRAM, réduisant la hauteur de la zone fonctionnelle principale à 6 762 nanomètres.
La densité de stockage a ainsi été améliorée à pas de géant. Le nombre de puces produites par tranche est au moins 50 % supérieur à celui de la plate-forme de la génération précédente, ce qui présente des avantages significatifs en termes d'efficacité énergétique des produits et de contrôle des coûts. Luo Xiaodong, vice-président de Changxin Technology, a déclaré :
Le niveau de processus de la plate-forme G5 est comparable à celui des principaux nœuds de production de masse du secteur.
Les deux produits LPDDR5X produits en série et exposés simultanément ont une capacité unique de 24 Go, soit 50 % de plus que la génération précédente de produits similaires. Ils sont conditionnés respectivement en 496Ball et 245Ball. Ils conviennent aux smartphones milieu et haut de gamme et aux appareils électroniques grand public portables. Ils sont désormais entrés dans la phase de production de masse à grande échelle.
Un autre point central de la conférence était le LPDDR6 produit en série. Changxin LPDDR6 a officiellement annoncé la production de masse le 29 août, avec un taux de transmission maximal de 12 800 Mbps, une augmentation de 60 % de la bande passante par rapport au LPDDR5X, une réduction de 20 % de la consommation d'énergie et une capacité maximale de puce de 16 Go.
Le premier modèle équipé de LPDDR6 est le téléphone mobile phare pliable Xiaomi 18 Fold. C'est la première fois que les produits LPDDR6 sont commercialisés sur un téléphone mobile phare dans le monde. C'est également la première fois qu'une société de stockage chinoise réalise la première production de masse au monde de normes de mémoire haut de gamme.
De plus,
Nubian NaviX Ultra, un « téléphone pouf » équipé du LPDDR5X 10 667 Mbps le plus rapide de Changxin, a également été mis en vente. Il s'agit de la première application de production de masse d'une puce LPDDR5X domestique à haut débit de 10 667 Mbps.
Il convient de souligner que Changxin a admis dans l'annonce que la plateforme G5, en tant que toute nouvelle plateforme, a encore besoin d'un certain temps pour augmenter son rendement. Les produits basés sur cette plateforme n'ont pas encore généré de ventes à grande échelle et n'auront pas d'impact significatif sur les performances opérationnelles à court terme.
Mais l'importance stratégique de la production de masse du G5 est assez claire : la DRAM nationale passe du statut de « chasseur » à celui de « concurrent » en termes de technologie de production de masse la plus avancée.
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