Résumé :
Changxin Technology a déclaré lors de la réunion d'échange de performances du troisième trimestre que, sur la base de la percée clé de l'architecture DRAM à canal vertical 4F², la plate-forme technologique de processus de sixième génération a achevé la vérification des échantillons techniques. C'est la première fois que Changxin annonce que la plate-forme technologique de processus de sixième génération est basée sur l'architecture 4F².
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Selon les pratiques de l'industrie, l'achèvement de la vérification des échantillons techniques signifie que les principaux indicateurs de performance de la plate-forme ont atteint les attentes de conception sur de vraies tranches, et qu'elle peut entrer dans l'étape de production de masse une fois que le client a terminé la vérification. Changxin avait précédemment déclaré dans un discours public qu'elle prévoyait de lancer d'ici la fin de l'année une nouvelle génération de produits DDR5 RDIMM intégrant la technologie avancée 4F² pour le domaine des serveurs, l'un des domaines les plus difficiles à appliquer.
En termes de progrès rendus publics, Changxin est à l'avant-garde mondiale dans la promotion de l'ingénierie 4F² : Samsung et SK Hynix ont tous deux répertorié 4F² comme une direction clé en dessous du niveau 10 nm, et Changxin a pris les devants en achevant la vérification des échantillons techniques ; si les progrès ultérieurs se déroulent sans problème, Changxin devrait devenir la première entreprise au monde à mettre en œuvre 4F².
4F² est considéré comme une voie clé pour éliminer le goulot d'étranglement lié au rétrécissement des cellules DRAM et évoluer vers la DRAM 3D. L'évolution de la technologie DRAM a toujours tourné autour de l'amélioration de la densité, en intégrant davantage d'unités sur une tranche de même taille pour répartir le coût par bit. Mais après avoir atteint le niveau 10 nm, le 6F² d’origine est devenu insoutenable et se rapproche de la limite physique. La feuille de route internationale des appareils et systèmes de l'IEEE (IRDS) indique clairement que lorsque la mise à l'échelle du demi-pas devient de plus en plus difficile, « la transition des unités 6F² aux unités 4F² est la voie la plus prometteuse pour maintenir les tendances des coûts ».
La surface de l'unité 4F² est de 2F×2F (F est la largeur de ligne ou l'espacement minimum réalisable par la technologie de photolithographie), soit environ les deux tiers de l'unité 6F² traditionnelle. Il est devenu un choix courant chez les principaux fabricants de systèmes de stockage du monde entier. SK Hynix a répertorié la plate-forme de porte verticale (VG) 4F² et la DRAM 3D comme deux piliers techniques majeurs. Samsung a publié un article 10 nm 4F² à l'ISSCC 2026, et son CTO a publiquement confirmé en octobre de cette année qu'il développait également ; l'industrie considère également le 4F² comme une étape nécessaire à la DRAM 3D.
Le cœur de l'architecture 4F² de Changxin est le transistor VSG (Vertical Surrounding Gate) auto-développé. Sa structure de canal environnant vertical a un contrôle de porte plus fort, ce qui peut atténuer les effets de canal court et les fuites. Au niveau architectural, cette solution dissocie les processus de fabrication de la DRAM et du CMOS, puis réalise une interconnexion à haut débit via une liaison hybride au niveau de la tranche, de sorte que les performances logiques, la densité de stockage et la fiabilité puissent être optimisées séparément.
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