Résumé :
Dans le contexte de l'explosion de la demande mondiale de puissance de calcul entraînée par l'intelligence artificielle, l'industrie des semi-conducteurs connaît un phénomène presque inimaginable dans le passé : la valeur marchande par unité de surface des tranches de DRAM avancées utilisées pour fabriquer la mémoire DDR5 a dépassé celle des tranches logiques 2 nm les plus avancées de TSMC.
La dernière analyse du secteur montre que la valeur unitaire de surface actuelle de la DRAM 1b est d'environ 0,654 USD par millimètre carré, tandis que le prix unitaire de surface correspondant de la tranche de 2 nanomètres (N2) de TSMC est d'environ 0,424 USD par millimètre carré. En d’autres termes, pour une plaquette de silicium de même taille, la valeur marchande actuelle de la DRAM avancée est environ 54 % supérieure à celle du procédé le plus avancé de TSMC.
Ce résultat a surpris de nombreuses personnes dans l'industrie, car en termes de difficulté de fabrication, les deux ne sont pas du tout au même niveau.
Le processus 2 nm de TSMC représente l'une des technologies de fabrication de puces logiques les plus avancées au monde. Cela nécessite l’utilisation des équipements de lithographie EUV les plus complexes, des structures de transistors avancées et des processus de fabrication extrêmement rigoureux. La complexité de son processus est bien supérieure à celle de la technologie de fabrication de DRAM utilisée dans la mémoire DDR5.
Cependant, les prix du marché ne fonctionnent pas en fonction des difficultés de fabrication.
Selon les données de l'industrie, le prix d'une plaquette TSMC 3 nm de 300 mm est d'environ 20 000 USD, tandis que le prix d'une plaquette 2 nm de même taille est proche de 30 000 USD. Après conversion, le prix unitaire de la surface des tranches de 3 nanomètres est d'environ 0,283 $ US par millimètre carré, et celui des tranches de 2 nanomètres est d'environ 0,424 $ US par millimètre carré.
D'un autre côté, la densité binaire actuelle d'une DRAM 1b atteint 0,436 Go par millimètre carré. Si elle est calculée sur la base du prix du marché d'environ 1,50 USD par Go, sa valeur correspondante est d'environ 0,654 USD par millimètre carré, dépassant la plaquette de 2 nanomètres de TSMC.
Il convient de noter que cette estimation n’est pas un chiffre théorique séparé de la réalité du marché.
Tout récemment, des données publiées par l'organisme d'études de marché DRAM Exchange montrent que le prix des produits DDR5 eTT de 16 Go est d'environ 24,80 USD, ce qui correspond à un prix par Go d'environ 1,55 USD. Par conséquent, le prix de référence de 1,50 $ US adopté par l’agence d’analyse est considéré comme tout à fait raisonnable.
Ce qui est encore plus intéressant, c'est que même la DRAM 1z, techniquement obsolète, a une valeur unitaire de surface proche du niveau 2 nm de TSMC.
Les données montrent que la densité binaire de la DRAM 1z est d'environ 0,273 Go par millimètre carré. Selon la même méthode de calcul, sa valeur est d'environ 0,410 $ par millimètre carré, soit presque la même chose que 0,424 $ pour des tranches de 2 nm.
Les analystes du secteur estiment que ce phénomène ne signifie pas que les coûts de production de DRAM ont dépassé les puces de 2 nm.
Ce qui a vraiment changé, c'est la relation entre l'offre et la demande du marché.
Au cours des dernières années, il a été généralement admis que les processus logiques les plus avancés représentaient les ressources de fabrication les plus précieuses de la chaîne industrielle des semi-conducteurs. Cependant, à mesure que la demande de mémoire dans les serveurs de formation à l’intelligence artificielle, les clusters d’inférence et les plates-formes de calcul hautes performances augmente considérablement, la DRAM est devenue l’une des ressources les plus rares de l’ensemble du secteur.
En particulier, les prix de la DDR5, de la mémoire à large bande passante et de divers produits de stockage avancés pour les systèmes d'IA continuent d'augmenter dans un contexte de pénurie persistante du marché, entraînant ainsi une hausse continue de la valeur par unité de surface.
Les analystes ont souligné que les prix élevés actuels du marché reflètent essentiellement la rareté et non les difficultés de fabrication.
Bien que des fabricants tels que Samsung, SK Hynix et Micron continuent d'augmenter leur production, la demande de mémoire de l'industrie de l'IA continue de croître plus rapidement que la nouvelle offre. Un grand nombre de serveurs IA nécessitent non seulement des GPU avancés, mais également une grande quantité de DRAM, ce qui a provoqué des tensions à long terme dans l'ensemble du secteur du stockage.
Entre-temps, une nouvelle génération de technologie DRAM, plus coûteuse, est en route.
Par exemple, Samsung a ajusté plus tôt que prévu son itinéraire de développement de DRAM de nouvelle génération et sa technologie avancée de liaison hybride. Les futures DRAM haut de gamme adopteront des méthodes de fabrication plus complexes. Les cellules mémoire et les circuits de contrôle périphériques seront fabriqués séparément puis intégrés via une liaison hybride au niveau de la tranche.
En raison de l'augmentation significative du coût de ce nouveau processus, l'industrie prévoit que le prix des produits DRAM avancés restera probablement élevé à l'avenir.
Pour l'ensemble de l'industrie des semi-conducteurs, ce phénomène envoie un signal important : à l'ère de l'intelligence artificielle, le facteur qui détermine la valeur n'est plus seulement la complexité du processus de fabrication, mais les ressources réellement rares sur le marché. À l’heure actuelle, l’une des ressources les plus rares au monde n’est plus simplement constituée de processus logiques avancés, mais bien d’une mémoire de grande capacité et hautes performances capable de prendre en charge le fonctionnement des systèmes d’IA.
Commentaires