Résumé :
Les dirigeants d'Intel ont récemment déclaré lors d'entretiens publics que l'écart entre l'entreprise et TSMC en matière de technologie de processus avancée s'était réduit à « seulement quelques points de pourcentage ». Le plus grand défi pour rattraper les leaders de l’industrie à l’avenir n’est plus la technologie elle-même, mais la manière d’établir une échelle de fabrication et un système de capacité de production qui correspondent à ceux de ses concurrents.
Dans le podcast Dwarkesh, Pushkar Ranade, directeur de la technologie d'Intel, a souligné que d'un point de vue purement technologique et de performances, la distance entre Intel et TSMC est déjà assez limitée. Il estime que le principal problème auquel l'entreprise est confrontée est d'élargir l'échelle de production des processus avancés, et que ce processus prendra beaucoup de temps. En d’autres termes, ce qui détermine le paysage concurrentiel n’est pas seulement le nœud du processus lui-même, mais aussi la capacité de produire des puces avancées de manière stable et économique à plus grande échelle.
Dans le même temps, Chris Os, vice-président et directeur général du département de développement de la fabrication et de coopération client d'Intel, s'est concentré sur la configuration de l'entreprise en matière de technologie de lithographie ultraviolette extrême à haute ouverture numérique (High-NA EUV). Il a déclaré que, étant donné qu'Intel a été le premier à adopter la technologie Backside Power Delivery, la société dispose d'un avantage unique lors de l'utilisation d'équipements EUV à haute NA.
L'EUV à NA élevée est largement considéré comme une technologie clé pour la fabrication de puces de nouvelle génération. Par rapport aux équipements EUV existants, son ouverture numérique plus élevée peut améliorer la résolution de la lithographie, donnant aux fabricants de puces la possibilité de réaliser des modèles de circuits plus fins avec moins d'étapes d'exposition. Cela devrait non seulement réduire la complexité de la fabrication, mais également réduire les coûts de production. Le rapport souligne que cette technologie peut prendre en charge la fabrication avancée de modèles dans une plage de pas d'environ 8 nanomètres à 16 nanomètres, fournissant ainsi un support pour les futures conceptions de puces à plus haute densité.
Chris Os a expliqué que l'architecture d'alimentation arrière adoptée par Intel transfère le réseau d'alimentation situé à l'origine à l'avant de la tranche vers l'arrière de la tranche, libérant ainsi plus d'espace pour la disposition des transistors avant et des lignes de transmission de données. Cette conception réduit efficacement la pression d'espacement des lignes frontales et permet à la conception de la puce d'avoir un espace de tolérance plus lâche pendant le processus de photolithographie.
Selon lui, grâce à sa technologie d'alimentation électrique arrière, Intel peut directement utiliser High-NA EUV pour réaliser la fabrication graphique associée. Étant donné que TSMC n'adopte pas la même architecture d'alimentation, il doit maintenir un espacement des lignes plus serré dans certaines conceptions. Par conséquent, il ne peut pas s’appuyer entièrement sur l’EUV High-NA pour terminer la production. Il doit encore s’appuyer sur des processus EUV à double structuration pour atteindre ses objectifs.
Il a en outre révélé que le processus 14A de nouvelle génération d'Intel est actuellement ouvert aux clients en tant qu'option dans le kit de conception de processus (PDK). Concernant l'opportunité d'adopter ce processus, l'entreprise mènera des discussions individuelles et une coopération en fonction des besoins des différents clients.
L'industrie estime que cette déclaration montre en outre qu'Intel promeut activement le déploiement EUV High-NA autour du nœud 14A. Il y a eu des rumeurs sur le marché selon lesquelles l'EUV High-NA pourrait être utilisé pour la première fois dans le processus 18A, mais à en juger par les informations divulguées cette fois, le 14A est devenu l'une des plates-formes de processus avancées de nouvelle génération d'Intel.
Alors que la concurrence dans l'industrie mondiale des semi-conducteurs continue de s'intensifier, Intel tente de rétablir son avantage concurrentiel grâce à une combinaison de technologies telles que l'alimentation électrique arrière, l'EUV à haute ouverture numérique et le processus 14A de nouvelle génération. Bien que les dirigeants de l'entreprise estiment être proches de TSMC au niveau technique, Intel reste confronté à des défis difficiles et à long terme en termes de production à grande échelle de processus avancés, d'écologie client et d'expansion des capacités.
Commentaires