Résumé :
La série Galaxy S27 de nouvelle génération de Samsung pourrait faire ses débuts plus tôt que la série S26 de cette année. Le lanceur d'alerte sud-coréen Lanzuk a récemment déclaré que le plan matériel principal de la série S27 était sur le point d'être finalisé et que Samsung était en train d'organiser le suivi des progrès de la production. La date de sortie pourrait tomber en janvier de l'année prochaine, ou au plus tard en février. Cependant, il s'agit toujours d'une nouvelle qui n'a pas été confirmée par Samsung, et il n'y a actuellement aucune date de sortie officielle ni calendrier de conférence.
La série S24 est sortie à la mi-janvier et la série S25 a également été dévoilée fin janvier ; la série S26 a été reportée à fin février de cette année et a été mise en vente en mars. Les rumeurs suggèrent que le S27 pourrait revenir à la fenêtre de sortie la plus courante de Samsung, de janvier à février dans le passé. On pense que le retard du S26 est lié à l'ajustement temporaire de la gamme de produits par Samsung, mais cette raison n'a pas été officiellement confirmée.
La configuration de la mémoire reste une variable dans la planification. Il a été précédemment signalé que les versions standard du S27 et du S27+ pourraient continuer à utiliser la mémoire LPDDR5X et la mémoire flash UFS 4.x, tandis que les S27 Pro et S27 Ultra devaient initialement être mis à niveau vers LPDDR6 et UFS 5.0. La dernière théorie est qu'à mesure que les coûts de mémoire augmentent, Samsung envisage également d'annuler les mises à niveau Pro et Ultra pour contrôler les coûts globaux de la machine. Si cet ajustement se produit, la configuration finale et le prix de vente des modèles haut de gamme pourraient être affectés ; actuellement, les deux projets ne sont que des rumeurs.
La norme LPDDR6 a été publiée par le JEDEC en 2025. Les rapports associés donnent une plage de débit de données d'environ 10,6 à 14,4 Gbit/s par broche, ce qui est supérieur à la spécification courante de 8,5 Gbit/s du LPDDR5X. La solution UFS 5.0 annoncée par Samsung cette année a une vitesse de lecture séquentielle nominale allant jusqu'à 10,8 Go/s et une vitesse d'écriture allant jusqu'à 9,5 Go/s, soit plus du double de la vitesse de l'UFS 4.1 et améliore l'efficacité énergétique de plus de 40 %. Samsung prévoit de démarrer la production de masse au quatrième trimestre de cette année et n'a pas confirmé quels téléphones mobiles seront les premiers à l'adopter. Ce sont des indicateurs généraux d’une nouvelle génération de technologie de mémoire et de stockage, non confirmés par les spécifications du Galaxy S27.
La plate-forme de processeur n'est pas encore finalisée. Il y a également des rumeurs selon lesquelles le S27 Ultra aurait rencontré des problèmes de chauffage lors des tests préliminaires de la puce phare de nouvelle génération de Qualcomm, et Samsung pourrait envisager de revenir à l'Exynos 2700 ; Qualcomm a nié que les puces associées présentent des problèmes de surchauffe. Il n'existe pas encore de conclusion fiable quant à savoir si Samsung utilisera différents processeurs dans différentes régions.
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