Le nœud A14 de TSMC met fin au rétrécissement de la SRAM après huit ans de stagnation, la surface des unités de mémoire chute de 19 % pour la première fois

Résumé :

En tant que fabricant de semi-conducteurs le plus grand et le plus avancé au monde, les progrès de TSMC en matière de rétrécissement de la SRAM stagnent depuis de nombreuses années. Depuis la production en série du procédé N5 5 nm en 2020, la superficie des cellules mémoire SRAM 6T est restée à environ 0,021 micron carré. La densité des transistors des composants logiques continue d’augmenter, mais la mémoire n’a pas suivi le même rythme. Avec l'arrivée du nœud A14, dont la mise en production est prévue en 2028, cette situation devrait être brisée :

L'unité de mémoire SRAM 6T de TSMC devrait diminuer à 0,017 microns carrés, soit une diminution d'environ 19 %. Cela signifie que TSMC a réalisé une percée dans les technologies connexes et se prépare à le lancer dans la production de masse avec l'aide du nœud A14.

TSMC mène actuellement des essais de production pour évaluer la faisabilité de ce nœud, tout en permettant aux clients de tester les performances réelles de leurs conceptions dans l'environnement de production de TSMC. Les progrès du nœud A14 sont plutôt optimistes. En raison du bon déroulement des travaux, le calendrier a été avancé. Si la production d'essai se poursuit sans problème et qu'aucun problème majeur de rendement ou de production ne survient, la production d'essai à risque débutera en 2027, suivie d'une production de masse en 2028. S'il n'y a pas d'obstacles évidents l'année prochaine, TSMC pourrait même avancer le calendrier de production de masse de quelques mois.

Par rapport à la production en série récemment annoncée du nœud N2 2 nm, le processus A14 peut fournir jusqu'à 15 % d'amélioration de la vitesse pour la même consommation d'énergie, ou atteindre jusqu'à 30 % de réduction de la consommation d'énergie à la même fréquence. TSMC affirme également que la densité logique a augmenté de 20 % et que la densité SRAM a augmenté de 19 %. Ces progrès sont significatifs : les circuits logiques et les mémoires peuvent désormais être mis à l'échelle efficacement sur des périodes de génération beaucoup plus grandes, ce qui contraste fortement avec l'ère inférieure à 10 nm. Le nœud A14 sera introduit pour la première fois dans l'usine du siège de TSMC à Taiwan, où l'entreprise prévoit de démarrer la production de masse en 2028.