Selon des experts du secteur, Samsung Electronics, le plus grand fabricant mondial de puces mémoire, a créé un nouveau laboratoire de recherche aux États-Unis pour développer une nouvelle génération de 3DDRAM. Le laboratoire est affilié à Device Solutions America (DSA), dont le siège est dans la Silicon Valley et qui est responsable de la production de semi-conducteurs de Samsung aux États-Unis. Il sera dédié au développement de modèles DRAM améliorés pour permettre à Samsung de dominer le marché mondial des puces de mémoire 3D.
En octobre de l'année dernière, Samsung Electronics a révélé qu'elle préparait une nouvelle structure 3D pour les DRAM inférieures à 10 nanomètres, permettant une plus grande capacité monopuce pouvant dépasser 100 gigabits.
Samsung Electronics a commercialisé avec succès une mémoire flash NAND verticale 3D pour la première fois dans l'industrie en 2013.