TSMC et Intel ont récemment été engagés dans un débat houleux pour savoir quelle entreprise détiendra le nœud supérieur dans les années à venir, alors que les fabricants de semi-conducteurs consolident leurs processus 3 nm et intensifient la concurrence vers le 2 nm. TSMC est confiant dans sa voie de développement actuelle, mais l'objectif d'Intel est de se lancer en premier dans le processus 2 nm et de rétablir sa position dominante dans l'industrie des semi-conducteurs.
Le PDG d'Intel, Pat Gelsinger, a affirmé que le prochain nœud de processus 18A d'Intel (essentiellement 1,8 nm) pourrait surpasser les puces 2 nm de TSMC malgré son lancement un an plus tôt. Ces remarques contredisent les récentes affirmations de ses rivaux taïwanais. Gelsinger a fait ces remarques dans une interview avec Barron's.
Il n'est pas sûr qu'un nœud soit nettement meilleur qu'un autre, mais il est optimiste quant à la fenêtre de sortie de l'entreprise. Le média a placé la concurrence d'Intel avec TSMC dans le contexte des tentatives des États-Unis pour sécuriser leurs approvisionnements en semi-conducteurs dans un contexte de relations tendues avec la Chine. En tant que leader du marché, TSMC fournit des puces 3 nm pour les processeurs Apple iPhone 15 et M3 Mac.
La société affirme que son prochain nœud N3P optimisé de 3 nm atteindra des performances de puissance comparables à celles d'Intel 18A. Le géant taïwanais espère parvenir à une production de masse de N3P au cours du second semestre 2024, soit à peu près en même temps que le 20A (2 nm) et le 18A.
De plus, TSMC estime que son nœud N2 2 nm, qu'il prévoit de lancer en 2025, dépassera le N3P et le 18A. Sur la base du premier modèle de processus de 3 nanomètres de l'entreprise, Apple pourrait donner la priorité au nœud N2 et l'utiliser pour l'iPhone 17 Pro.
Gelsinger est confiant dans les 20A et 18A principalement en raison de leur architecture RibbonFET - l'utilisation par la société de transistors toutes portes (GAA) et de la technologie de transfert de puissance arrière. Ces technologies sont essentielles pour les entreprises fabriquant des puces de 2 nanomètres, car elles permettent une densité logique et des vitesses d'horloge plus élevées tout en réduisant les fuites d'énergie. Pendant ce temps, le N3P de TSMC et d'autres nœuds 3 nm à venir continueront d'utiliser une architecture FinFET mature jusqu'à ce que le nœud N2 d'Intel passe au GAA un an plus tard.
Intel et TSMC ne sont pas les seules entreprises à se préparer à fabriquer des semi-conducteurs 2 nm. Samsung espère également se lancer dans la production de masse de 2 nm en 2025, tandis que le fabricant japonais Rapidus prévoit de lancer des prototypes en 2025 et de démarrer la production de masse en 2027.