Résumé :
Selon plusieurs instituts de recherche du secteur et sources de la chaîne d'approvisionnement, Changxin Memory (CXMT), la principale entreprise chinoise de fabrication de DRAM, se prépare actuellement activement à entrer dans le domaine de la fabrication de mémoire flash NAND (NAND Flash). Cette expansion stratégique potentielle montre que Changxin Memory s'efforce de passer du statut de fournisseur unique de puces DRAM à celui de géant des puces mémoire de catégorie complète. Non seulement cela enrichira davantage sa gamme de produits, mais il devrait également remodeler le paysage concurrentiel du marché mondial des semi-conducteurs de stockage.
Depuis longtemps, Changxin Memory se concentre sur la recherche, le développement et la production en série de puces DRAM haute densité et de modules de mémoire associés, et a réalisé des percées technologiques significatives et une augmentation de sa part de marché sur les marchés de la mémoire mobile et pour serveur. Face à la croissance explosive de la demande mondiale d'intelligence artificielle, de big data et de cloud computing pour diverses architectures de stockage, Changxin Memory Evaluation a étendu son expérience dans la fabrication de semi-conducteurs et l'optimisation des processus au domaine de la mémoire flash NAND, dans le but de créer un système de chaîne d'approvisionnement indépendant complet couvrant le stockage temporaire et le stockage à long terme.
À l'heure actuelle, le marché mondial de la mémoire flash NAND est principalement monopolisé par plusieurs géants internationaux tels que Samsung Electronics, SK Hynix, Micron Technology, Kioxia et Western Digital. Cependant, la capacité de production des entreprises locales chinoises dans le domaine NAND est encore principalement concentrée dans la technologie de mémoire du Yangtze (YMTC). Les analystes du secteur ont souligné que si Changxin Memory met officiellement en production une mémoire flash NAND, cela formera des effets complémentaires et synergiques avec Yangtze Memory dans la gamme de produits et accélérera l'intégration en profondeur de l'industrie locale des puces mémoire en termes d'indépendance technologique et d'échelle de capacité de production.
Bien qu'étendre sa portée commerciale dans le domaine de la mémoire flash NAND nécessite de faire face à de multiples défis tels que des dépenses d'investissement extrêmement élevées pour de nouvelles lignes de production, des défis techniques dans les processus d'empilement de haut niveau et des barrières en matière de brevets, l'expérience d'ingénierie accumulée par Changxin Memory dans la R&D de processus avancés et la gestion des opérations de fabrication a jeté une base solide pour son expansion horizontale. La chaîne d'approvisionnement a révélé que Changxin Storage menait une évaluation de faisabilité technique de ses usines existantes et de sa nouvelle capacité de production, et que le recrutement des équipes de R&D concernées et les recherches préliminaires sur l'achat d'équipements progressaient également de manière ordonnée.
Avec le développement de l'économie de puissance de calcul, la demande du marché en disques SSD (SSD) hautes performances et en nouvelles mémoires non volatiles continuera d'être forte. La décision stratégique de Changxin Memory d'entrer sur le marché transfrontalier de la mémoire flash NAND contribuera non seulement à améliorer sa propre échelle de revenus et sa résistance au risque, mais offrira également aux acheteurs mondiaux de puces mémoire des choix plus compétitifs et diversifiés.
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