Résumé :
CNBC a publié mardi un article axé sur les avancées technologiques réalisées par Changxin Storage. L'article indiquait que Changxin Storage n'était peut-être pas si connu, mais que ses avancées technologiques avaient fait chuter collectivement les stocks des géants mondiaux du stockage.
Stockage Changxin
CNBC a déclaré que Changxin Memory est le principal concurrent des fabricants mondiaux de puces mémoire. Les géants actuels de l’industrie incluent Micron, SK Hynix et Samsung. Mais le week-end dernier, Changxin Storage a annoncé avoir progressé dans la recherche et le développement de sa nouvelle architecture. Cette architecture permet de stocker plus de données dans moins d'espace, augmentant ainsi la densité de stockage.
Mardi, les actions Micron ont chuté de 3,62 %. Les actions de SK Hynix, cotée en Corée du Sud, ont clôturé en baisse de 10 % et celles de Samsung Electronics de 7,4 %. D’autres actions liées aux puces mémoire ont également chuté, notamment SanDisk, Seagate et Western Digital.
Nouvelle percée technologique
CNBC a déclaré qu'avant son introduction en bourse à succès cet été, Changxin Storage était peu connue en dehors du marché chinois. Mais après son lancement en juillet de cette année, il a rapidement attiré l'attention du monde entier. Le cours de l’action de la société a grimpé de près de 466 % le premier jour de sa cotation au Shanghai Science and Technology Innovation Board, et elle est devenue à l’époque la société ayant la valeur marchande la plus élevée parmi les sociétés cotées chinoises.
CNBC a souligné qu'après l'introduction en bourse de Changxin Memory, l'une des questions les plus préoccupantes sur le marché était de savoir si l'entreprise pouvait réduire l'écart technologique avec Micron, Samsung et SK Hynix, en particulier dans le domaine de la mémoire à large bande passante (HBM), qui est un composant clé des systèmes de puces d'IA.
Les actions Micron ont clôturé en baisse de 3,62 %
Cependant, selon les médias nationaux, Cao Kanyu, président de Changxin Memory, a révélé un nouveau progrès technologique DRAM lors de la 4e conférence Integrated Chip and Chip le 10 octobre. Cao Kanyu a présenté l'architecture DRAM appelée 4F² et a déclaré que Changxin Memory devrait lancer une nouvelle génération de produits DDR5 RDIMM utilisant cette technologie d'ici la fin de l'année.
Cao Kanyu a déclaré que cette architecture a apporté des innovations dans les transistors des matrices de stockage DRAM. Les transistors VSG (Vertical Surrounded Gate) adoptent une structure de canal environnant vertical pour obtenir un contrôle de grille plus fort et résoudre les problèmes liés aux fuites et aux effets de canal court. Les transistors verticaux contribuent à réduire la zone et à augmenter la densité de stockage.
CNBC a déclaré que la nouvelle conception de l'architecture est basée sur la technologie « 4F² » et peut atteindre une densité de stockage plus élevée. SK hynix fait également progresser la conception 4F² et a annoncé une feuille de route pour le développement de cette technologie en 2025.
Les analystes estiment généralement que Changxin Storage est à la traîne par rapport à ses concurrents mondiaux en matière de recherche et de développement de technologies de stockage de pointe. Par conséquent, toute nouvelle concernant ses avancées technologiques pourrait affecter de manière significative la perception qu'ont les investisseurs des avantages commerciaux de ses concurrents mondiaux.
Croissance de la part de marché
Malgré les défis liés aux contrôles à l'exportation, Changxin Storage a réalisé des progrès significatifs sur le marché.
Un rapport publié par HSBC jeudi dernier a montré que la part de Changxin Memory sur le marché mondial des DRAM est passée à environ 10 %, contre environ 4 % il y a un an.
Les analystes de Citigroup ont déclaré dans un rapport publié en août : "Il est peu probable que le gouvernement américain autorise la vente aux États-Unis de puces mémoire fabriquées en Chine, mais les produits vendus aux centres de données d'autres régions comme l'Europe pourraient affecter indirectement Micron."
Apple a commencé à tester les puces DRAM de Changxin Memory pour les utiliser dans des appareils vendus en Chine et a fait pression sur le gouvernement américain pour qu'il autorise une utilisation plus large des produits de l'entreprise, a rapporté le Financial Times en juillet, citant des personnes proches du dossier.
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