En tant qu'entreprise leader dans le domaine des puces mémoire, SK Hynix accélère l'expansion de sa capacité de production pour répondre à la demande croissante de puces du secteur. La société prépare actuellement de nouvelles technologies dans le but d'améliorer encore les capacités de traitement de la charge de travail de l'IA sur les appareils mobiles et de pointe.
Selon plusieurs médias coréens, SK Hynix développe une nouvelle mémoire informatique pour accélérer le calcul de l'IA locale. Cette nouvelle technologie, appelée High Bandwidth Storage (HBS), est une extension de la précédente solution High Bandwidth Flash (HBF). Il fusionne les composants de mémoire flash DRAM mobile et NAND dans le même appareil et est spécialement conçu pour accélérer la charge IA des appareils mobiles tels que les smartphones et les tablettes. La puce peut empiler verticalement jusqu'à 16 couches de DRAM et de NAND et réaliser une interconnexion inter-couches grâce à une structure de déploiement de fil vertical (VFO) unique.
SK Hynix a déjà utilisé la DRAM VFO dans les produits Apple Vision Pro, mais la technologie HBS intègre davantage la mémoire flash NAND. Lors de sa sortie en 2023, la société a souligné que le VFO améliore non seulement l'efficacité de l'emballage, mais améliore également la dissipation thermique et la réduction de la taille des puces. Par rapport à la méthode traditionnelle de connexion par fil incurvé, VFO peut réduire de 4,6 fois l'espace requis pour la transmission électronique intercouche, augmenter l'efficacité énergétique globale de 4,9 %, améliorer la dissipation thermique de 1,4 % et réduire l'épaisseur de la puce à 73 % de la solution traditionnelle.
Contrairement à la technologie HBF développée en coopération avec SanDisk, HBS ne nécessite pas de vias en silicium (TSV), le processus de fabrication est plus simple, le taux de rendement est plus élevé et le coût de production est inférieur, ce qui favorise une promotion généralisée dans l'industrie des semi-conducteurs.
Le nouveau module de pile DRAM+NAND sera directement co-packagé avec le processeur d'application (AP), améliorant considérablement la vitesse de traitement des données des smartphones et des terminaux SoC. L’objectif de SK hynix avec cette innovation est d’améliorer encore les performances de l’IA mobile. Bien que les performances spécifiques n'aient pas encore été testées dans la pratique, la société prévoit de lancer officiellement la technologie entre 2029 et 2031. Actuellement, en raison de l'essor des ventes de puces de nouvelle génération en 2026, la capacité de production de SK Hynix est devenue tendue.