Winbond Electronics a officiellement annoncé le lancement d'une nouvelle DRAM DDR4 de 8 Go. Ce produit utilise la technologie de processus avancée 16 nm de Winbond pour offrir une vitesse plus élevée, une consommation d’énergie réduite et des solutions plus rentables.Il convient à divers marchés tels que les téléviseurs, les serveurs, les équipements de communication réseau, les ordinateurs industriels et les applications embarquées.
Grâce au processus 16 nm, la nouvelle génération de produits DDR4 a réalisé d'importantes avancées en termes de performances. Par rapport à la technologie de génération précédente, ce processus présente une taille de puce plus petite, un rendement de tranche plus élevé et une meilleure efficacité énergétique, aidant les clients à intégrer une DRAM de plus grande capacité sans modifier la taille du boîtier.
L'optimisation des processus améliore également l'intégrité du signal, réduit le taux de fuite et garantit que le produit maintient un fonctionnement stable à des taux de transmission de données allant jusqu'à 3 600 Mbps.
En tant que premier produit DDR4 du secteur à prendre en charge un taux de transmission de 3 600 Mbps, la DRAM DDR4 Winbond 8 Go surpasse la norme DDR4 existante et peut répondre aux besoins de traitement des données des applications informatiques à grande vitesse. Grâce à la réduction de la surface de la puce apportée par la technologie 16 nm, ce produit peut fournir une plus grande capacité dans le même boîtier, contribuant ainsi à réduire davantage le coût global du système.
Winbond Electronics possède ses propres capacités de processus complets, depuis la conception, le développement de processus 16 nm jusqu'à la fabrication, et peut fournir un support de chaîne d'approvisionnement fiable et des services après-vente professionnels aux clients industriels et aux utilisateurs de KGD (good bare wafer).
Basé sur la même plateforme de processus 16 nm,Winbond développe également simultanément trois autres produits DRAM, dont CUBE, 8 Go LPDDR4 et 16 Go DDR4, pour étendre davantage sa configuration de produits de mémoire de nouvelle génération.
