Résumé :
Le fabricant chinois de puces de mémoire DRAM Changxin Memory (CXMT) a annoncé que sa plate-forme technologique DRAM de cinquième génération était officiellement entrée dans la phase de production de masse. Ces progrès sont considérés comme une étape importante dans le développement de l'industrie du stockage en Chine et signifient également que Changxin Storage réduit encore davantage l'écart technologique avec les principaux fabricants mondiaux tels que Samsung Electronics, SK Hynix et Micron.
La DRAM est la mémoire de travail de base requise par les appareils électroniques tels que les smartphones, les ordinateurs personnels et les serveurs pour exécuter des applications. Ces dernières années, alors que l'intelligence artificielle, le calcul haute performance et les performances des terminaux mobiles continuent de s'améliorer, la demande du marché mondial pour les produits DRAM avancés continue de croître.
Selon les informations publiées par Changxin Memory, l'objectif de la plate-forme technologique de cinquième génération est de créer des produits de mémoire offrant des performances plus élevées et une capacité plus élevée tout en réduisant la consommation d'énergie et les coûts de production. La société a déclaré que la nouvelle plate-forme fournira aux fabricants de produits électroniques terminaux davantage de sources d'approvisionnement en puces mémoire et améliorera la flexibilité d'approvisionnement de la chaîne industrielle.
En tant que plus grand fabricant de DRAM en Chine, Changxin Memory se concentre cette fois-ci sur l'augmentation de la densité des cellules de mémoire. En réduisant davantage les minuscules structures responsables du stockage des données et en augmentant le niveau d'intégration, la nouvelle plate-forme peut accueillir davantage de cellules de mémoire dans la même zone et augmenter le nombre de puces pouvant être découpées dans une seule tranche, améliorant ainsi l'efficacité globale de la production.
Changxin Storage a révélé que la nouvelle plate-forme a réduit le pas structurel clé de la matrice de stockage à 11,95 nanomètres, ce qui équivaut à environ 12 milliardièmes de mètre. Pour atteindre cet objectif, la société utilise un processus de quadruple structuration, qui brise les limites des processus traditionnels en effectuant de manière répétée plusieurs étapes de fabrication pour former des structures de circuits plus raffinées.
Lors de la Conférence mondiale sur la fabrication 2026 qui s'est tenue à Hefei, Anhui, Luo Xiaodong, directeur du Changxin Storage Market Center, a déclaré que les capacités de processus de l'entreprise ont atteint le même niveau que les plates-formes de stockage produites en série les plus avancées au monde.
Avec la production en série de la nouvelle plate-forme, Changxin Memory a également lancé deux puces de mémoire mobile LPDDR5X de 24 Go basées sur la plate-forme de cinquième génération. LPDDR5X est une norme DRAM basse consommation principalement utilisée dans les appareils mobiles tels que les smartphones et les tablettes.
La capacité du nouveau produit est 50 % supérieure à celle de la génération précédente de produits similaires et il est entré dans la phase de production de masse. Selon les différents besoins du produit final, les deux produits proposent différentes formes d'emballage adaptées à la conception de smartphones et de divers appareils électroniques portables.
En plus d'augmenter la capacité d'une seule puce, la nouvelle plate-forme améliore également considérablement l'efficacité de la fabrication. Changxin Memory a déclaré qu'en utilisant des produits 8 Go comme référence de comparaison, le nombre de puces que la plate-forme de cinquième génération peut produire par tranche est au moins 50 % supérieur à celui de la plate-forme de quatrième génération.
Cet indicateur ne représente pas le rendement final, mais fait référence au nombre total de puces qui peuvent théoriquement être découpées dans une seule plaquette avant que les puces défectueuses ne soient éliminées. Cependant, pour l'industrie de la mémoire, l'amélioration de l'utilisation des plaquettes reste un moyen important de réduire les coûts et d'améliorer la compétitivité.
La société a également révélé que la technologie de simulation informatique avait été largement utilisée dans le processus de développement de la plate-forme de cinquième génération, et qu'un développement conjoint avait été réalisé avec des fabricants chinois locaux d'équipements à semi-conducteurs dans des liens de fabrication clés. Une coopération pertinente a aidé Changxin Storage à établir progressivement un système de chaîne d'approvisionnement nationale plus complet et à réduire sa dépendance à l'égard de la technologie externe.
Ce développement technologique intervient également à un moment où la concurrence dans le secteur mondial du stockage continue de s'intensifier. Avec l'expansion rapide du secteur de l'intelligence artificielle, la demande de mémoire hautes performances a explosé et les principaux fabricants mondiaux de stockage ont augmenté leurs investissements dans les produits avancés DRAM et HBM.
Pour la Chine, l'entrée dans la production de masse de la plate-forme de cinquième génération de Changxin Storage signifie non seulement une nouvelle amélioration des capacités techniques, mais signifie également que l'industrie locale du stockage continue d'évoluer vers des nœuds de processus plus avancés. À l'avenir, à mesure que les produits de stockage mobile de nouvelle génération entreront progressivement sur le marché, la concurrence entre Changxin Storage et les principaux fabricants internationaux devrait encore s'intensifier.
Dans le contexte d'un paysage en constante évolution de l'industrie mondiale du stockage, la production de masse officielle de la plate-forme DRAM de cinquième génération est considérée comme un autre nœud important dans le développement de la mémoire Changxin. Cela donne également un nouveau levier à l'industrie chinoise des semi-conducteurs pour améliorer ses capacités d'approvisionnement indépendantes.
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