Résumé :
L'industrie chinoise des puces mémoire inaugure une nouvelle étape de concurrence. Changxin Memory (CXMT) et Yangtze Memory Technology (YMTC), deux sociétés leaders profondément impliquées depuis longtemps sur différents marchés, accélèrent leur entrée dans leurs principaux domaines d'activité respectifs. Une concurrence frontale se développe progressivement autour des deux principaux marchés de la DRAM et de la NAND.
Ces dernières années, les deux sociétés ont maintenu une division du travail relativement claire sur le marché. Changxin Memory se concentre principalement sur les puces de mémoire DRAM, tandis que Yangtze Memory se concentre sur les produits de mémoire flash NAND. Alors que la vague de l’intelligence artificielle remodèle la chaîne d’approvisionnement mondiale des semi-conducteurs, cette frontière commerciale est en train de disparaître.
Selon des sources de la chaîne industrielle, Yangtze Memory se prépare à entrer sur le marché de la DRAM. La nouvelle ligne de production de la société dans la troisième phase du projet devrait démarrer la production d'essai fin 2026, en se concentrant initialement sur les produits de mémoire LPDDR5 basse consommation. En tant qu'étape importante avant la production de masse formelle, la production d'essai est principalement utilisée pour le débogage des équipements, l'optimisation des processus et l'amélioration du rendement.
Selon le plan actuel, la capacité initiale de production de DRAM de Yangtze Memory devrait être d'environ 25 000 plaquettes par mois. Même si cette échelle est encore loin derrière des géants internationaux tels que Samsung, SK Hynix ou Micron, il s'agit d'un changement stratégique important pour Yangtze Memory, qui se concentre depuis longtemps sur l'activité NAND.
Dans le même temps, Changxin Memory recherche également des opportunités de se développer dans le domaine NAND.
Des sources ont indiqué que Changxin Memory prévoit un nouveau projet de R&D et de production d'essais NAND à Pékin et la création d'institutions de recherche compétentes pour promouvoir le développement de la technologie NAND. Certains clients potentiels ont déjà commencé à contacter Changxin, notamment des start-ups souhaitant utiliser ses produits de mémoire flash pour des systèmes d'intelligence artificielle et des solutions de stockage pour superordinateurs.
Ces dernières années, la demande de serveurs d'intelligence artificielle a augmenté, ce qui a non seulement favorisé la prospérité continue des marchés HBM et DRAM, mais a également stimulé la croissance de la demande de mémoire flash NAND. Alors qu'un grand nombre de tâches de formation et d'inférence de modèles d'IA génèrent d'énormes quantités de données, la demande de disques SSD et de périphériques de stockage haute capacité dans les centres de données continue d'augmenter, rompant l'équilibre entre l'offre et la demande du marché du stockage traditionnel.
Les données du secteur montrent que, afin de répondre aux besoins du marché de l'IA, les principaux fabricants mondiaux de stockage ont transféré davantage de capacités de production vers des produits DRAM et HBM à haut profit, ce qui a entraîné un ralentissement de la croissance de l'offre de NAND et, par conséquent, une hausse des prix du marché. Dans ce contexte, entrer sur le marché NAND semble plus attractif pour Changxin.
Cependant, comparé à Yangtze Memory, qui a un calendrier plus clair pour entrer sur le marché de la DRAM, le plan NAND de Changxin en est encore à un stade précoce. On ne sait pas quand il entrera en production de masse. L'industrie prévoit que les lignes de production concernées pourraient être officiellement mises en service entre 2028 et 2029.
Pour les deux sociétés, outre les questions techniques, les droits de propriété intellectuelle pourraient également devenir un élément important de la concurrence future.
Les initiés du secteur ont souligné qu'à mesure que les deux parties s'attaquent aux domaines de force traditionnels de l'autre, la répartition des brevets, les licences technologiques et la concurrence pour les talents en ingénierie pourraient devenir de nouveaux points de friction. En particulier dans le contexte du développement rapide de l'industrie chinoise du stockage, les deux sociétés doivent attirer un grand nombre de personnel de R&D et de production possédant une expérience pertinente.
Selon certaines informations, Changxin recrute actuellement activement des talents en ingénierie et techniques qui ont travaillé chez Yangtze Memory pour accélérer le processus de recherche et de développement NAND. À mesure que Yangtze Memory avance dans son projet DRAM, la concurrence entre les deux parties sur le marché des ressources humaines pourrait encore s'intensifier à l'avenir.
En outre, les contrôles américains sur les exportations continueront d’affecter le développement futur des entreprises chinoises. Pour Changxin, le domaine NAND dépend particulièrement de la technologie avancée d'empilement NAND 3D, et il est encore difficile d'obtenir les équipements et technologies associés. Par conséquent, la manière de réaliser des percées technologiques dans des conditions restreintes deviendra un facteur important pour déterminer si son plan d'expansion peut être mis en œuvre.
Les analystes estiment que Changxin et Yangtze Memory représentaient respectivement les deux principaux camps chinois DRAM et NAND, mais maintenant les deux parties ont commencé à étendre leurs activités à toutes les catégories de stockage, ce qui signifie que l'industrie chinoise du stockage entre dans une nouvelle étape d'intégration et de concurrence.
Dans le contexte d'une croissance continue de la demande mondiale en puissance de calcul pour l'IA, la DRAM et la NAND sont devenues des ressources stratégiques essentielles. Alors que les deux géants chinois du stockage s’orientent progressivement vers une concurrence frontale, une bataille pour les puces mémoire autour de la technologie, de la capacité de production, des talents et des parts de marché commence tranquillement.
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