Résumé :
La guerre des brevets 3D NAND qui dure depuis près de trois ans entre Micron et Yangtze Memory s'est encore intensifiée. Micron a récemment intenté une action en justice contre Yangtze Memory devant le tribunal fédéral de district de l'Idaho, accusant ce dernier d'avoir acquis sa technologie de fabrication 3D NAND et ses secrets commerciaux en recrutant d'anciens ingénieurs de Micron et en utilisant ces technologies dans la construction de ses propres produits de mémoire flash et de son système de brevets. Micron a en outre affirmé que Yangtze Memory avait ensuite utilisé certains des brevets déposés par ces anciens employés de Micron pour poursuivre Micron pour violation de brevet aux États-Unis et dans d'autres pays et régions.
Il convient de noter que le contenu ci-dessus correspond actuellement à toutes les accusations portées par Micron dans les documents du procès, et ne signifie pas que le tribunal a déterminé que Yangtze Memory a effectivement commis des actes illégaux en termes de détournement de secrets commerciaux ou de propriété de brevets. Les différends entre les parties autour de ces technologies et brevets se poursuivent dans plusieurs juridictions.
Micron a déclaré dans la plainte que Yangtze Memory avait recruté un certain nombre d'ingénieurs Micron, dont Daesik Song, Wenxi Zhou et Hua Tan. Ce personnel avait accès à des informations techniques 3D NAND hautement confidentielles lors de son précédent travail chez Micron et, selon le contrat signé avec Micron, il était toujours tenu de protéger les secrets commerciaux même après avoir quitté l'entreprise.
Micron a spécifiquement souligné que certains des ingénieurs impliqués ont rejoint YMTC peu de temps après avoir quitté l'entreprise, mais lorsqu'ils ont quitté l'entreprise, ils ont expliqué leur départ pour des raisons personnelles ou familiales et n'ont pas mis à jour leurs informations professionnelles en temps opportun sur les plateformes sociales professionnelles telles que LinkedIn. Micron pense que cela l'a amené à ne pas se rendre compte à ce moment-là que ces personnes avaient eu accès à Yangtze Storage, ni à soupçonner immédiatement que la technologie confidentielle de l'entreprise aurait pu être transmise à un concurrent.
Selon Micron, ces ingénieurs avaient auparavant accédé à des informations techniques hautement confidentielles sur les serveurs Micron à Boise, Idaho, impliquant des nœuds de test et des nœuds de production. La portée des technologies associées est assez large, y compris les technologies clés de fabrication NAND 3D telles que la gravure à rapport d'aspect élevé, le processus de remplacement de grille, la connexion de pile multicouche, la formation et le nettoyage de colonnes de cellules mémoire et les circuits d'E/S mémoire.
Micron a allégué que Yangtze Memory avait ensuite affecté ce personnel à des domaines de recherche et de développement similaires et utilisé leur expérience technique antérieure pour développer ses propres produits. Plus important encore, Micron estime que certains anciens employés sont devenus plus tard les inventeurs des brevets sur la mémoire du Yangtze, et que les technologies impliquées dans ces brevets chevauchaient leurs travaux de recherche et développement antérieurs chez Micron.
Micron estime que le problème n'est pas seulement que les ingénieurs passent d'une société de puces à une autre, mais que certaines technologies peuvent être converties des secrets commerciaux de Micron en propriété intellectuelle de Yangtze Memory au cours du processus de flux de personnel, et finalement former un portefeuille de brevets qui peut être utilisé pour engager des poursuites en matière de brevets contre Micron.
Micron a déclaré n'avoir remarqué ce problème que progressivement après que Yangtze Memory ait poursuivi Micron en justice pour la première fois en novembre 2023 en Californie. À cette époque, Yangtze Memory accusait Micron d'avoir violé ses brevets américains liés à la 3D NAND. Lorsque Micron a étudié la liste des inventeurs des brevets concernés, elle a constaté que certains des inventeurs étaient des ingénieurs ayant déjà travaillé chez Micron.
Les anciens employés répertoriés par Micron cette fois incluent Hongbin Zhu, Jun Liu, Yushi Hu, Qian Tao, Changhyun Lee, Daesik Song, Wenxi Zhou et Hua Tan. Micron estime que les technologies auxquelles ces personnels ont été exposés au cours de leur mandat couvraient plusieurs liens de fabrication 3D NAND, et certains d'entre eux sont devenus plus tard les inventeurs de brevets liés à la mémoire Yangtze.
Parmi eux, plusieurs brevets américains liés à Hongbin Zhu ont attiré une attention particulière de la part de Micron. Micron estime que certains des brevets de Yangtze Memory demandés par ses anciens employés sont liés à la technologie qu'ils ont précédemment développée chez Micron, et que certains de ces brevets et leurs familles de brevets ont ensuite été utilisés par Yangtze Memory dans des poursuites contre Micron.
Cependant, le fait qu'un ancien employé passe d'une entreprise de puces à un concurrent et continue à s'engager dans la recherche et le développement dans un domaine technique qu'il connaît ne prouve pas en soi le vol de secrets commerciaux. Les flux d’ingénieurs entre entreprises technologiques sont très courants et les ingénieurs travaillant dans le même domaine continueront probablement à travailler sur des technologies similaires. Le véritable différend est de savoir si les inventions spécifiques dans les brevets concernés ont été créées pendant le mandat de Micron ou achevées de manière indépendante après avoir rejoint Yangtze Memory, et si une technologie confidentielle protégée par Micron a été utilisée.
Si Micron peut finalement prouver que certains de ses brevets sont effectivement dérivés de réalisations technologiques dont elle est propriétaire, alors le différend ne portera plus seulement sur la question de savoir si Yangtze Memory a violé les secrets commerciaux de Micron, mais pourrait également impliquer la propriété des véritables droits des brevets concernés. Le procès de Micron tente de confirmer par l'intermédiaire du tribunal que certains brevets pertinents appartiennent effectivement à Micron, affaiblissant ainsi la base juridique permettant à Yangtze Memory d'utiliser ces brevets pour poursuivre Micron.
Cette guerre des brevets dure en réalité depuis près de trois ans. Yangtze Memory a poursuivi Micron devant le tribunal de district américain du district nord de Californie en novembre 2023, impliquant initialement 8 brevets américains, ciblant principalement l'architecture et la technologie de fabrication 3D NAND. Par la suite, Yangtze Memory a intenté plusieurs poursuites en Chine et a continué d'ajouter de nouvelles poursuites en matière de brevets aux États-Unis.
D'ici octobre 2025, Yangtze Storage a encore étendu ses lignes de front au Texas, au Royaume-Uni, ainsi qu'à la Cour européenne unifiée des brevets et aux tribunaux allemands, transformant les litiges en matière de brevets initialement limités aux États-Unis en litiges mondiaux en matière de propriété intellectuelle couvrant plusieurs pays et régions.
Jusqu'à présent, les deux parties ont été impliquées dans plus de 20 brevets et poursuites, et les cas incluent non seulement la contrefaçon de brevet, mais également l'invalidité de brevet, la confirmation de jugements et d'autres litiges juridiques connexes. Micron a également commencé à riposter et a proposé que le véritable détenteur des droits sur certains brevets de la mémoire du Yangtze soit Micron.
Juste avant le dernier procès de Micron, Yangtze Memory avait déjà fait des progrès progressifs en Allemagne. Le 18 septembre 2026, le tribunal du premier district de Munich, en Allemagne, a statué que Micron avait enfreint deux modèles d'utilité allemands liés à la NAND 3D de la mémoire Yangtze et a interdit les produits associés.
Les droits concernés sont DE 20 2020 006 166 U1 et DE 20 2021 004 551 U1, qui impliquent la structure en échelle de 3D NAND et la technologie de couche barrière liée au contact de ligne de mots. La durée de protection de ces deux droits est de 10 ans et le tribunal n'a pas encore rendu de décision définitive en matière de violation dans trois autres affaires connexes.
Il convient de noter que ces deux familles de brevets de modèles d'utilité allemands sont liées à l'ancien ingénieur de Micron Wenxi Zhou, et que les brevets américains correspondants ont également été utilisés par Yangtze Memory dans un litige contre Micron. Ceci est directement lié à la dernière accusation de Micron selon laquelle « d’anciens employés ont apporté la technologie Micron 3D NAND à Yangtze Memory et ont ensuite participé à la recherche et au développement de brevets connexes ».
Cependant, la décision allemande n’est encore que le résultat d’une première instance. Micron a fait appel de la décision et conteste la validité des droits dans le cadre d'autres procédures judiciaires. Ces deux interdictions allemandes ne signifient donc pas que le conflit mondial en matière de brevets entre les deux parties est terminé.
Les précédents procès intentés par Yangtze Memory aux États-Unis n'ont pas abouti exactement aux mêmes résultats que cette décision allemande, et certains des brevets litigieux ont été contestés pour invalidité. Dans le même temps, Micron continue de protéger ses droits de propriété intellectuelle par le biais de demandes reconventionnelles et de poursuites en confirmation.
Le contexte industriel derrière ce conflit est également très particulier. La 3D NAND est l'une des technologies de base des SSD, smartphones et périphériques de stockage d'entreprise modernes. Des fabricants tels que Samsung, SK Hynix, Micron, Kioxia, Western Digital et Yangtze Memory maintiennent depuis longtemps leurs barrières techniques grâce à l'autorisation de brevets, aux licences croisées et aux litiges. Étant donné que la NAND 3D implique un grand nombre de technologies complexes, depuis la structure des cellules mémoire jusqu'à la gravure, l'empilement, la connexion et les circuits d'E/S, les frontières des brevets entre les différents fabricants sont souvent très complexes.
La stratégie adoptée par Micron cette fois-ci est évidemment plus proactive que la méthode précédente consistant principalement à défendre les litiges relatifs aux brevets de la mémoire du Yangtze. Au cours des trois dernières années, Yangtze Memory a continuellement utilisé des brevets pour engager des poursuites contre Micron, tandis que Micron a principalement répondu par des contestations d'invalidation de brevet et des demandes reconventionnelles. Le dépôt direct d'une action en justice concernant les secrets commerciaux et la propriété des brevets dans l'Idaho, aux États-Unis, signifie que Micron a commencé à remettre en question le processus de formation du portefeuille de brevets de Yangtze Memory sous un autre angle.
Si Micron peut prouver devant le tribunal que certaines des inventions couvertes par les brevets de Yangtze Memory appartiennent réellement à Micron, ou prouver que Yangtze Memory a utilisé illégalement les secrets commerciaux de Micron au cours du processus de recherche et de développement, les résultats pertinents pourraient également affecter d'autres litiges en matière de brevets en cours entre les deux parties. Cependant, si Micron ne peut pas prouver qu'il y a un transfert inapproprié de ces technologies, le simple fait que les ingénieurs ont travaillé chez Micron ne suffit pas pour prouver qu'il y a des problèmes avec les brevets pertinents de Yangtze Memory.
Par conséquent, le différend actuel contient en réalité deux questions étroitement liées : d'une part, savoir si Yangtze Memory a violé les secrets commerciaux de Micron et qui devrait détenir certains des brevets ; d’autre part, si Micron a enfreint la technologie 3D NAND de Yangtze Memory qui a bénéficié d’une protection juridique. Alors que les affaires aux États-Unis, en Chine, en Allemagne, au Royaume-Uni et devant la Cour unifiée du brevet continuent de progresser, les litiges en matière de propriété intellectuelle entre les deux parties risquent de se poursuivre pendant longtemps.
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